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利用激光剥离技术实现直径为50.8mm GaNLED外延膜的大面积完整剥离。激光剥离后的原子力显微镜（AFM）扫描和X射线双晶衍射谱（XRD）表明剥离前后外延膜的质量并未明显改变。并报道了在剥离掉后的蓝宝石（α-Al2O3）衬底上MOCVD外延生长InGaN/GaN多量子阱（MQW′s）LED器件结构,通过光致发光谱（PL）和XRD谱对比分析了在相同条件下剥离掉后衬底与常规衬底上生长的GaNLED外延膜晶体质量。