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本文通过激光剥离技术,实现大面积GaN LED激光剥离,而且完整的保留了蓝宝石衬底,并且在剥离后的衬底上重新生长GaN基LED器件结构外延薄膜,并对其进行对比研究。
激光剥离GaN LED外延膜的研究
【摘 要】
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本文通过激光剥离技术,实现大面积GaN LED激光剥离,而且完整的保留了蓝宝石衬底,并且在剥离后的衬底上重新生长GaN基LED器件结构外延薄膜,并对其进行对比研究。
【机 构】
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厦门大学物理系,福建厦门 361005
【出 处】
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第十四届全国凝聚态光学性质学术研讨会(OPCM'2008)
【发表日期】
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2008年期
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