【摘 要】
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利用磁阻效应的非易失性存储器MRAM最近开始复苏,全球很多存储器厂商正在加速开发采用自旋注入反磁化方式的新型MRAM(见图1)。在与磁存储相关的国际会议—第52届磁学与磁性材
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利用磁阻效应的非易失性存储器MRAM最近开始复苏,全球很多存储器厂商正在加速开发采用自旋注入反磁化方式的新型MRAM(见图1)。在与磁存储相关的国际会议—第52届磁学与磁性材料年会(52nd Annual Conference on Magnetism and Magnetic Materials,MMM)上,多家厂商相继发布了多
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