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对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度等时退火，采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律，利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化，对辐照缺陷的退火行为进行了探讨，实验证实NTD氢区熔单晶硅在150-650℃范围内等时退火具有显著特点：在500℃下退火，出现电阻率极小值，即出现浓度很高的过量浅施主；P型向N型转变温度为400℃，迁移率恢复温度为500℃，载流子恢复温度为600℃，均明显低于NTD氩区熔单晶硅转型温度及