【摘 要】
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位于日本东京的半导体制造商NEC公司开发出了一种基于氮化物的单片功率晶体管样品，这种晶体管创记录地把30GHz信号放大至2.3W的功率水平。而单片氮化物器件以前能够达到的功率
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位于日本东京的半导体制造商NEC公司开发出了一种基于氮化物的单片功率晶体管样品，这种晶体管创记录地把30GHz信号放大至2.3W的功率水平。而单片氮化物器件以前能够达到的功率水平只有0.72W。亚毫米频段——微波与毫米波长之间频率的通称——被狭义定义为25GHz以上至30GHz，但
Semiconductor maker NEC in Tokyo, Japan, has developed a sample of nitride-based monolithic power transistors that record a 30-GHz signal amplified to a power level of 2.3W. Monolithic nitride devices previously able to achieve the power level of only 0.72W. The sub-millimeter band - the common name for frequencies between microwave and millimeter wavelengths - is narrowly defined as over 25 GHz to 30 GHz but
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