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利用阴极充氢法，向硅单晶表面注入氢离子，用化学浸蚀法观察晶体表面氢与层错间的相互作用层错，特别是Frank半位错在硅单晶表面的露头处是原子氢的择优聚集区，原子氢化合成分子氢后能诱发大的晶格畸变利用化学浸蚀法，观察到了氢与层错的相互作用
硅单晶中层错与氢的交互作用
【摘 要】
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利用阴极充氢法，向硅单晶表面注入氢离子，用化学浸蚀法观察晶体表面氢与层错间的相互作用层错，特别是Frank半位错在硅单晶表面的露头处是原子氢的择优聚集区，原子氢化合成分子氢
【机 构】
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北京科技大学!北京,100083,北京科技大学!北京,100083,北京科技大学!北京,100083
【出 处】
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金属学报
【发表日期】
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1997年06期
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