【摘 要】
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非晶态和纳米晶ＦｅＣｕＮｂＳｉＢ中首次研究了其磁致阻抗效应，阻抗Ｚ（ｆ，Ｈ）与交流驱动电流的频率ｆ以及外加直流磁场Ｈ均有密切关系。磁致阻抗ΔＺ／Ｚ＝（Ｚ（Ｈｍａｘ）－Ｚ（ｏ））／Ｚ（Ｈｍａｘ）随ｆ的变化是首先快速增加，在３００～５００ｋＨｚ附近达到最大，然后下降。纳米晶的变
【机 构】
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中科院物理所磁学国家重点实验室，山东大学物理系
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非晶态和纳米晶ＦｅＣｕＮｂＳｉＢ中首次研究了其磁致阻抗效应，阻抗Ｚ（ｆ，Ｈ）与交流驱动电流的频率ｆ以及外加直流磁场Ｈ均有密切关系。磁致阻抗ΔＺ／Ｚ＝（Ｚ（Ｈｍａｘ）－Ｚ（ｏ））／Ｚ（Ｈｍａｘ）随ｆ的变化是首先快速增加，在３００～５００ｋＨｚ附近达到最大，然后下降。纳米晶的变化比非晶态要大。对５５０℃退人３ｈ的样品，在３００ｋＨｚ处可获得的最大碰致阻抗为－２２７％（Ｈ＝７５Ｏｅ），而退火５ｈ的样品在１ＭＨｚ、Ｈ＝１０Ｏｅ时，最大磁致阻抗为＋２５０％。
The magnetoresistance effect is studied for the first time in amorphous and nanocrystalline FeCuNbSiB. The impedance Z (f, H) is closely related to the frequency f of the AC drive current and the applied DC field H. The change of magnetoresistance ΔZ / Z = (Z (Hmax) -Z (o)) / Z (Hmax) with f is the first rapid increase, reaching the maximum around 300 ~ 500kHz and then decreasing. Nanocrystalline changes than amorphous. For samples withdrawn at 550 ° C for 3 h, the maximum achievable impedance at 300 kHz was -227% (H = 75 Oe), while the maximum magnetoresistance was + 250% at 1 MHz and H = 10 Oe for samples annealed at 5 h.
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