【摘 要】
：
设λKv是λ重v点完全图,其任二不同顶点x和y间都恰有λ条边（x,y）相连。对于有限简单图G,G-图设计G-GDλ（v）（G-填充设计G-PDλ（v）,G-覆盖设计G-CDλ（v））是一个序偶（X,B）,其中X是Kv的顶点集,B为Kv中同构于G的子图的集合（称为区组集）,使得Kv中每条边恰好（至多,至少）出现在B的λ个区组中。一个填充设计（覆盖设计）被称作是最大（最小）的,如果不再存在同阶数的其它
论文部分内容阅读
设λKv是λ重v点完全图,其任二不同顶点x和y间都恰有λ条边（x,y）相连。对于有限简单图G,G-图设计G-GDλ（v）（G-填充设计G-PDλ（v）,G-覆盖设计G-CDλ（v））是一个序偶（X,B）,其中X是Kv的顶点集,B为Kv中同构于G的子图的集合（称为区组集）,使得Kv中每条边恰好（至多,至少）出现在B的λ个区组中。一个填充设计（覆盖设计）被称作是最大（最小）的,如果不再存在同阶数的其它填充设计（覆盖设计）含有更多（更少）的区组。本文中,两个六点九边图的最大填充设计与最小覆盖设计被研究。在统一的构作方法下,对于所有可能的v和λ给出了它们相应的最大填充设计和最小覆盖设计。 本文附带讨论了图Pm×Cn的边优美指标集问题,证明了mn≡1 mod 2时,图Pm×Cn是（n+1）/2-边优美的,并给出了相应构作。
其他文献
近年来,半导体量子点由于其荧光量子产率高、光化学稳定性强、吸收光谱宽、单色性佳、发射光谱连续可调以及可溶液操作等特点引起了研究人员的广泛关注。作为光电功能材料,量子点已经被广泛地应用于发光二极管、太阳能电池及生物检测等多个领域。自1994年首次报道基于量子点的电致发光器件以来,研究者们已通过多种手段提高器件的性能,如提高量子点的荧光量子产率、优化器件结构、优化电荷传输材料、提高载流子的平衡等。量子
江西是首批国家生态文明试验区和生态产品价值实现机制试点地区,优美的生态环境为江西实现碳达峰、碳中和提供有利条件。本文从江西绿色低碳经济发展基本情况出发,结合问卷调查和案例研究,在分析"碳达峰、碳中和"目标导向对产业结构、能源结构、金融稳定和货币信贷政策传导等影响基础上,提出顶层设计、配套措施、企业融资、政策落地等方面需要关注的问题,以及进一步推动实现"碳达峰、碳中和"目标的思路。本文的研究结论对于
本文分别用化学共沉淀法和固相反应法制备了在Sr位掺杂Ca形成Sr1-xCaxRuO3多晶系列样品。对这些样品的结构、颗粒尺寸、磁学性质、输运性质作了研究。X射线衍射实验表明这些样品均为单相钙钛矿结构氧化物,用扫描电子显微镜（SEM）观察了样品晶粒形貌,用振动样品磁强计（VSM）和Quantum Design PPMS 9系统测量了样品的磁性能。使用Quantum Design PPMS 9系统和牛
本文研究了存在外加磁场和考虑Rashba自旋轨道耦合效应的情况下,自旋极化电子在一维F/S/F（铁磁/半导体/铁磁）异质结和T型F/S/F（铁磁/半导体/铁磁）异质结中的输运性质。在新兴的自旋电子学领域,基于铁磁/半导体/铁磁的异质结为研究各种自旋效应提供了一个理想的平台。本文基于外加磁场下的异质结,揭示了一些自旋输运的新特征。 （1）研究了一维异质结F/S/F中磁场对自旋电子输运性质的影响。计算
混沌是非线性动力学系统所特有的一种运动形式,它广泛地存在于自然界。近年来,混沌系统的控制与同步得到了飞速发展,并与其它许多科学领域相互渗透,成为非线性学科研究领域的一大热点,有着巨大的应用前景。本文从实际应用的需要出发,研究了异结构系统混沌同步及异结构系统混沌广义投影同步。主要内容如下:第一章介绍了混沌同步的研究历史与现状及混沌同步类型和混沌同步方法。第二章,基于Lyapunov稳定性理论和统一L
超高密度固态布洛赫线存储器（BLM）是以硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线（VBLs）作为信息载体,所以硬畴畴壁中VBLs产生及其稳定性的研究对超高密度布洛赫线存储器的研制和磁畴壁物理的发展都是非常重要的。直流偏场（Hb）和面内场(Hip)都是影响硬磁畴畴壁中VBLs稳定性的重要因素。以前的实验研究了用脉冲偏场法产生的三类硬磁畴在面内场作用下的行为,发现存在一个与材料参量相关的临界面内场范围[Hip1,Hi
混沌是非常有趣的非线性现象，在过去20多年得到广泛研究。混沌现象是在确定性非线性系统中出现的类随机的过程。自从人们开创性的提出混沌控制和混沌同步的概念以来，应用混沌已经成为整个非线性领域全新和具有挑战性的前沿课题之一，其中混沌同步令人瞩目，有一些方法已经应用于实际并取得了良好的效果。本文利用计算机数值模拟和电路模拟的方法研究了统一混沌系统的线性反馈混合同步和自适应混合同步问题。其内容分为四部分：（
利用Mireles和Kirczenow在弹道输运的Landauer理论框架内提出的相干量子输运理论和传递矩阵的方法,考虑到自旋轨道耦合作用,研究在铁磁体（F）/半导体多量子阱（SMW）/铁磁体的一维结构中的自旋电子的量子相干输运的特性。中间层的多量子阱我们用GaAs/GaAlAs来构造。在这里GaAs在结构中起到了势阱的作用,而GaAlAs起到了势垒的作用。 首先研究了在多量子阱系统中,势垒和势阱
设（M,T）是一个光滑闭流形,T：M→M是M上的光滑对合,T在M上作用的不动点集为F={x|T（x）=x,x∈M}.本文讨论了几种不动点集为Dold流形及其不交并的带有对合的流形（M,T）的协边分类问题.（1）讨论了不动点集为F=P（2m1,2n+1）（?）P（2m2,2n+1）（4≤m1
由于钙钛矿锰氧化合物庞磁电阻效应在磁记录、磁传感器等方面有巨大的潜在的应用价值,所以,近十几年来,这类化合物备受人们关注。目前,人们通过各种途径来提高锰氧化合物在室温附近的低场磁电阻。然而对于室温附近磁电阻温度稳定性,人们还研究得不多。本文在所在课题组研究工作的基础上,进一步研究室温附近磁电阻温度稳定性问题。 我们采用溶胶-凝胶方法制备类钙钛矿粉体样品,掺入AgNO3制成块体复合材料。其中,采用了