自旋极化率相关论文
本文主要研究了在铁磁-半导体-铁磁(F/S/F)系统中电子的量子输运特性,分别考虑了Rashba自旋轨道耦合和Dresselhaus自旋轨道耦合作用,......
利用Mireles和Kirczenow在弹道输运的Landauer理论框架内提出的相干量子输运理论和传递矩阵的方法,考虑到自旋轨道耦合作用,研究在......
JLab E08-027实验在2012年3月至5月期间成功获取了数据,其目的是测量质子的极化结构函数92以及自旋极化率dLT.当前不管对于理论物......
由于二极管有二次击穿等缺点,在实际应用中给生活生产带来一定的不便。随着科技的发展,晶体管的时代逐渐到来,其中场效应晶体管在......
核自旋自补偿技术是无自旋交换弛豫(SERF)原子自旋陀螺仪角速率测量的关键.但是,并不是所有条件下SERF系统自补偿点均存在.根据SER......
二维材料MXene纳米片由于具有较大的比表面积和较高的电子迁移率而受到广泛的关注.本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算,对......
自旋电子材料分支中的Heusler合金材料物理性能丰富,能够展现出较高自旋极化率和较高的居里温度点特性,且这些特性具有可调控性,并......
利用溶胶-凝胶方法制作了晶粒表面包裹着α-FeO薄层的多晶锌铁氧体.在成份为(ZnFeO)(α-FeO)的样品中发现了巨大的隧穿磁电阻效应,......
本文通过求解一维定态薛定谔方程,得到自旋电子直接遂穿金属-半导体肖特基势垒的自旋极化率.在偏压很小时,自旋极化电流没有足够的......
Fe3O4 材料以其100%的自旋极化率、高居里温度等优异的性能,成为磁随机存储器、磁传感器以及磁头的首选材料。本试验通过磁控溅射法......
本文采用自旋极化率P随温度的指数变化关系结合高阶隧穿模型拟合了经真空退火处理的Co0.1-C0.9复合薄膜的磁电阻随温度的变化......
通过采用转移矩阵方法求解自旋电子隧穿过程,理论研究了半导体超晶格系统中电子自旋输运的磁电调控行为.结果表明:仅对超晶格系统......
从铁磁有机器件与非磁有机器件两方面介绍了近年来有机自旋电子学研究进展,理论上探讨了有机功能材料内的自旋极化注入与输运、自......
自旋阀是自旋电子学的重要器件。提高铁磁金属电极费米能级处的自旋极化率对提高自旋阀的性能意义重大,是自旋电子学研究的重要......
由于Fe4N具有大的饱和磁化强度,低的矫顽力以及高化学稳定性和自旋极化率,所以在自旋电子学应用中是一个很好的电极材料。此文章......
本文利用第一性原理计算方法,对具有半金属性的四元Heusler合金TiZrCoIn两个不同终端表面效应进行了理论研究,主要针对表面效应对......
近年来,超冷费米原子气体性质的研究一直是量子物理学中研究的热点问题。通过调节外磁场到费什巴赫共振,改变费米子之间的散射长度......
2004年,研究人员首次在实验上制备了石墨烯,自此引发了对二维材料研究的新热潮。由于石墨烯所具有的优异的物理性质,它被看作最有......
用射频共溅射的方法制备了不同金属含量φ的 Fe- Si O2 金属 -绝缘体颗粒膜 ,系统研究了薄膜的微结构、磁性以及隧道磁电阻 ( TMR)......
采用磁控溅射法先在Si(100)基片上沉积适当厚度的Fe薄膜作为底层,通过对Fe底层厚度及氧气流量的控制,使底层Fe形成化学计量的无缓......
根据文献[1],定量地讨论了电子—声子耦合、电子—电子交换作用对Grüneison常数的贡献.
According to [1], the contribution of electron-pho......
自巨平面霍尔效应在稀磁半导体GaMnAs 中发现以来,人们在磁性传感器和磁性随机存储器领域提出了利用巨平面霍尔效应替代隧穿磁......
以[Co/Ni]多层膜作为磁性层的垂直磁化巨磁电阻(GMR)结构,除具有热稳定性好、翻转可靠、低临界翻转电流和无单元尺寸形状限制等......
Fe3Si是一种具有高自旋极化率和高居里温度的二元Heusler合金,并且具有高硬度,抗腐蚀,低电导率等优点,因而在自旋电子器件中具有潜......
CrO2是一类重要的半金属材料,实验表明其具有~100%的自旋极化率[1],因此它在自旋电子器件,特别是磁性随机存储器(MRAM)中有重要应用.......
Heusler合金是一种半金属材料,理论上预言其自旋极化率在费米面附近能达到100%,而且许多Heusler合金具有很高的居里温度,因此被普遍认......
本文通过求解一维定态薛定谔方程,得到自旋电子直接遂穿金属-半导体肖特基势垒的自旋极化率.在偏压很小时,自旋极化电流没有足够的......
自旋极化率,自旋弛豫时间和自旋扩散长度是自旋电子器件的基本性能参数,本文分析了半导体自旋电子器件的原理,以及影响器件性能的......
本文描述了点接触自旋极化电子隧道谱仪和用该谱仪对一种半Heusler合金NiFeSb和三种Heusler合金CoFeGa、NiMnGa及AuMnAl的自旋极化......
钙钛矿结构锰氧化物有两个特点,一是大的磁电阻效应,二是大的电子自旋极化率.本文研究体材料的氧含量效应和应变效应.......
利用溶胶-凝胶方法制作了晶粒表面包裹着α-FeO薄层的多晶锌铁氧体.在成份为(ZnFeO)(α-FeO)的样品中发现了巨大的隧穿磁电阻效应,......
目前,对原子气室内自旋极化率的空间操控与测量已有不少研究,但是对这类研究缺乏系统的分析、整理和综述.通过对文献的梳理,将现有......
随着纳米电子学与分子电子学的飞速发展,由纳米电子器件组成的纳米级电路也向着电路体积更小、集成度更高、效率更高的方向发展,所以......
电子除了具有电荷属性,还拥有自旋自由度和轨道自由度。它们之间的相互作用带来了丰富的物理。本论文中就对三个电子系统的自旋性质......
该论文中主要使用隧道谱方法对新超导体MgB及几种新合成Heusler合金和半Heusler合金的物理性质进行了研究.论文中系统地研究了超导......
本文以Heusler合金Ni-Mn-Ga、Ni-Mn-Fe-Ga等为研究对象,分别从实验和第一性原理计算的角度,研究了结构相变对此类铁磁性形状记忆合金......
半导体自旋电子学的自旋相关输运现象是现在自旋电子学研究的热点之一,这很大程度是因为我们想在新技术上利用这种现象,比如自旋电......
TMR效应的理论研究表明采用高自旋极化率的材料作铁磁电极是获得大的TMR效应的关键,传导电子完全自旋极化的半金属磁体的发现给TMR......
传统的电子器件都是以电子电荷作为信息载体的,这会产生大量的热量,使得器件集成度变得非常有限。电子的自旋却可以克服这种弊端。半......
半金属有着较高的居里温度和100%的高自旋极化率,是一种具有极大应用潜能的半导体自旋电子学材料。目前半金属的研究大多处于理论......
本文采用第一性原理计算方法,以Graphene及其相关量子系统为研究对象,探讨了在吸附、掺杂金属原子等调控手段下Graphene及其相关量子......
传统的电子元件都是利用了电子的电荷作为信息载体,却忽略了电子的另外一个重要的性质——自旋。基于自旋属性的自旋电子器件(如自旋......
硅烯是一种新型的类石墨烯的二维材料,它由硅原子呈六角蜂窝状紧密排列组成,并且具有同石墨烯相类似的高载流子迁移率和电导率.与石......
自旋电子学作为一门新兴学科,受到的关注日益增多。尤其是信息的存储和处理方面,与传统的半导体器件相比,自旋电子器件同时利用了电子......
电子同时具有电荷和自旋两种属性,它的电荷属性在半导体材料中获得极大的应用,推动了电子技术、计算机技术和信息技术的发展。然而随......