【摘 要】
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本文研究了存在外加磁场和考虑Rashba自旋轨道耦合效应的情况下,自旋极化电子在一维F/S/F（铁磁/半导体/铁磁）异质结和T型F/S/F（铁磁/半导体/铁磁）异质结中的输运性质。在新兴的自旋电子学领域,基于铁磁/半导体/铁磁的异质结为研究各种自旋效应提供了一个理想的平台。本文基于外加磁场下的异质结,揭示了一些自旋输运的新特征。 （1）研究了一维异质结F/S/F中磁场对自旋电子输运性质的影响。计算
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本文研究了存在外加磁场和考虑Rashba自旋轨道耦合效应的情况下,自旋极化电子在一维F/S/F（铁磁/半导体/铁磁）异质结和T型F/S/F（铁磁/半导体/铁磁）异质结中的输运性质。在新兴的自旋电子学领域,基于铁磁/半导体/铁磁的异质结为研究各种自旋效应提供了一个理想的平台。本文基于外加磁场下的异质结,揭示了一些自旋输运的新特征。 （1）研究了一维异质结F/S/F中磁场对自旋电子输运性质的影响。计算中通过改变半导体长度、Rashba自旋轨道耦合强度、势垒高度、磁场强度,我们得出不同情况下的自旋极化电子输运的图像。从结果可以看出在同一半导体长度自旋电子隧穿概率随Rashba自旋轨道耦合强度变化的过程中,自旋电子隧穿概率随着磁场强度的变化而变化:磁场增大自旋电子隧穿概率相位左移。同一势垒高度下,磁场越大,自旋电子隧穿概率振荡频率越快。同一Rashba自旋轨道耦合强度下自旋电子隧穿概率随半导体长度变化的过程中,有外加磁场时得到的自旋电子隧穿概率相位相比不存在外加磁场时自旋电子隧穿概率相位左移。这说明磁场对一维F/S/F异质中自旋电子输运有着重要的影响。 （2） 研究了考虑Rashba自旋轨道耦合效应情况下,磁场对T型F/S/F异质结中自旋极化电子输运的影响。同一半导体长度下改变磁场大小,自旋电子隧穿概率随Rashba
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