基于V2O5的低功耗存储材料制备及器件性能研究

来源 :江苏理工学院 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hdf2006
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相变存储器(PCRAM)作为下一代最具有竞争实力的新型存储器技术之一,在近几年中得到迅猛的发展,有关产品也已经问世并且实现批量生产。在相变存储器技术如此高涨的发展势头下,与其相关的基础研究也成为信息、材料等相关领域的研究热点。PCRAM在众多存储器中的优势是明显的,例如:存储和输入速度快、疲劳性好、操作能耗低并且与CMOS工艺相包容等,但是PCRAM还存在一些需要解决的问题:1、相变材料在相变过程中稳定性与相变速度之间存在的矛盾;2、在RESET过程中功耗较高;3、传统相变材料的可靠性还需提高。相变材料的是现在相变存储器的基础和核心,相变材料的性能决定相变存储器的性能。本文基于课题组以及传统相变材料Ge2Sb2Te5(GST)的研究基础上探索具有性能优良的新型相变材料,以V2O5为基本的研究材料,进而研究V2O5低功耗存储材料制备及器件性能、分析了V2O5以及V2O5与Sb、Ge8Sb92以及GST材料相互复合后的相变性能和其相变机理,进而改善目前PCRAM存在的稳定性差、相变速度慢和操作功耗低等问题,这对PCRAM的开发和研究都具有十分重要的意义。通过目前的研究总结出以下结论:(1)具有高速、多级存储性能的V2O5相变材料的研究。加热过程中,V2O5在320oC和345oC下发生相变,并且观察到V2O5两种明显的电阻突变,十年数据保持温度在200oC,一维生长的结晶机制是快速相变的主要原因。相结构表明随着相变的进行,微晶相和多晶相相继形成。微区元素扫描显示V、O元素分布均匀。划痕试验表明,具有良好的附着力。在基于V2O5的相变存储器中实现了多级存储,低的SET和RESET电压(VSET~1.20V、VRESET~2.80V),存储速度可达100ns,完成SET→RESET过程所需的功率为0.3m W,远远小于GST的1.22m W。结果表明,V2O5相变材料具有高的热稳定性、较快的相变速度和多级存储功能,这使V2O5在相变存储器中具有良好的应用前景。(2)超晶格结构的V2O5/Sb相变薄膜材料的制备和研究。通过制备超晶格结构的薄膜具有较精确的化学计量比和很好的分散性。与Sb薄膜相比,V2O5/Sb超晶格薄膜具有更好的热稳定性(Tc~240oC,T10年~172.9oC),V2O5/Sb薄膜中的晶粒受到V2O5的抑制而变小,用拉曼光谱观测到结构中存在着Sb-Sb和V-O键的振动峰,用透射电镜观察了结晶前后的多层结构,这些说明两种晶系间的相互作用提高了V2O5/Sb膜的稳定性,基于V2O5(1nm)/Sb(9nm)的相变存储器件具有较低的SET电压(VSET~2.24V),可以实现了超低功耗(2.25×10-12J)和超高速(8ns)SET→RESET操作,这使得V2O5/Sb超晶格结构在PCRAM中具有很好的应用前景。(3)复合多层V2O5/Ge8Sb92薄膜的稳定性与性能的研究。通过复合制备的V2O5/Ge8Sb92薄膜具有较高的晶化温度(~233oC)、较大的非晶态电阻(~3.4×107Ω)和良好的数据保持温度(~171.2oC)。当电极与电极接触时,薄膜的晶化率为85.5%。通过添加V2O5中间层,使Ge8Sb92薄膜的热稳定性和可靠性大大提高。V2O5/Ge8Sb92薄膜晶化前后表面粗糙度较小,这确保了电极与相变材料之间的接触。在晶化过程中V2O5/Ge8Sb92的结晶受到抑制,晶粒尺寸仅为5.0nm。基于V2O5(1nm)/Ge8Sb92(9nm)材料制备的相变存储器件(PCM)具有较低的SET电压(VSET~1.85V)。这些研究表明V2O5/Ge8Sb92复合多层薄膜具有较高的稳定性和较小的晶粒尺寸以及较低的操作性能,在高密度PCRAM中具有潜在的应用前景。综上,通过探索新型相变材料V2O5以及以V2O5为基的薄膜结构,寻求并改进其电学相变性能,是本论文的主要撰写思路。
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