【摘 要】
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应用软件对单粒子翻转进行在轨评估，能够在节约成本与时间的基础上，为抗辐射集成电路的设计提供支持。在本文中，采用TCAD和Geant4工具，对单粒子翻转预计系统进行了初步构建。主要
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应用软件对单粒子翻转进行在轨评估，能够在节约成本与时间的基础上，为抗辐射集成电路的设计提供支持。在本文中，采用TCAD和Geant4工具，对单粒子翻转预计系统进行了初步构建。主要以重离子入射情况下，计算0.25um工艺SRAM在轨翻转率为例，给出在轨翻转率的计算方法。本文首先应用了复合敏感体模型理论，利用TCAD对SRAM敏感器件的敏感体、敏感系数、临界电荷进行提取。将这些参数输入到Geant4工具中，编写重离子翻转判断程序模块，该模块根据粒子入射敏感体内的能量，与最小能量进行比较，得到SRAM的翻转情况。最后应用这一模块进行粒子入射仿真，得到SRAM翻转截面，并输入重离子的空间环境模型，计算SRAM的在轨翻转率。
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