如今是智能手机和平板电脑风靡的时代,它们的出现也在一定程度上刺激着移动通信技术的发展。在人们对通信技术提出更高要求的情形下,第五代移动通信技术（5G）逐渐发展起来。5G相较于以前的移动通信技术在通信带宽、覆盖广域、低延时等方面提出了更高的要求,对射频功率放大器而言,5G新标准对的其研发设计提出了更大的挑战。首先射频功率放大器的宽频带性能直接影响到通信信号传输质量,其次射频功率放大器在输出功率较大的情况下,非线性会导致信号失真,影响信号传输的有效性。最后5G的载波频率更高,空中损耗更大,需要大量的通信基站进行广域覆盖,为了确保能源有效利用,功率放大器的工作效率问题成为当下研究的热点。本论文运用射频功率放大器设计的基本理论,结合HBT管S参数模型,确定了射频功率放大器的电路架构,并且利用HBT管电热特性和晶体管电流镜理论设计了带温度补偿的偏置电路,进一步分析优化得到了自适应功率变化的偏置电路。再结合晶体管非线性理论推导,分析了晶体管AM-AM、AM-PM效应对功率放大器线性度的影响。接着利用电路级仿真软件,对功率放大器整体电路的直流特性、射频性能、稳定性等各个方面进行了仿真验证,利用等Q值理论和负载线理论设计出宽频带而且性能稳定的匹配电路。在整体电路确定之后,利用电磁仿真对整个电路进行后仿消除寄生参数的影响。在输入级加入并联反馈网络,目的是保障功率放大器在全频段都工作稳定和方便输入匹配的设计。此外,在功率输出管的集电极上采用并联二次谐波的串联谐振网络来抑制工作在深AB类的功率级所引起的二次谐波失真,并且输出匹配部分元器件采用SMD元件有利于流片后的性能调试。最终研制了一款工作在5G n78频段（3400MHz-3600MHz）的射频功率放大器,其输出饱和功率达到33d Bm,增益为32d B,LTE下行20MHz带宽的测试信号下输出功率24.5d Bm时,其ACPR达到-48d Bc,PAE达到14%。测试结果表明,性能良好,满足预期值。此外,面对5G高输出功率的要求提出了一款双路并联合成的射频功率放大器,测试得到输出功率为35d Bm。