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本文研究了La<,2>O<,3>和Sb<,2>O<,5>对Pb(Zr，Ti)O<,3>(PZT)压电陶瓷的微观结构和介电、压电性能的影响。采用传统的固相反应法制得Pb<,1-x>La<,x>(Zr<,y>Ti<,1-y>)<,1-x/4>O<,3>+1.5 wt％Sb<,2>O<,5>(x=0.02、0.04、0.06、0.08、0.10、0.12、0.14、0.16，y=0.58、0.55、0.52)一系列实验样品。
对Zr/Ti为52/48的系列组分样品XRD谱图进行分析表明在La含量小于4mol％时陶瓷为单一的钙钛矿相。随着La含量的进一步上升，有(Pb<,3>Sb<,2>O<,8.47>)<,6.4>的烧绿石相出现。当La含量大于14mol％时，有TiO<,2>生成。在光学显微镜下观察发现Sb的掺杂使得陶瓷的晶粒细化，尺寸为2-4μm。对样品介电温谱的分析表明，样品的居里温度随La含量的增加而线性的降低。La掺杂使得掺杂PZT压电陶瓷的弥散性逐渐增强，表现为相变有效宽度δ<,m>的增加和频率色散△T<,0>指数随La含量的上升而增加。而通过对样品场致应变的分析，4mol％La掺杂的组成具有较大的电场诱导相变应变量，而8mol％La掺杂的组成具有最大的电致伸缩应变。通过对样品压电性能的测试，发现4mol％La含量的样品的压电性能最佳，与XRD发现该组成处于准同型相界内相一致。综合考虑以上因素，认为4mol％掺杂的样品应具有优良的反常光生伏打性能，因为该组成的陶瓷晶粒尺寸小，具有最优的压电性并具有大的电场诱导应变，有利于光致应变的提高。
通过对比不同La含量和Zr/Ti的样品，发现材料的准同型相界随Zr/Ti的变化与PLZT类似，在Zr/Ti含量更高的准同型相界组分所含的La含量更多。而Sb的掺杂使得样品位于准同型相界的组分对比具有相同Zr/Ti的PLZT时含有更多的La。通过对三组Zr/Ti的不同La含量的样品的压电、介电参数的分析，推测在La含量为5mol％，Zr/Ti在54.5/45.5～55.5/44.5范围内的组成的压电陶瓷具有最优的压电性能，d<,33>>621pC/N，k<,p>>0.68。