本文主要研究了禁带变窄效应对InP基HBT电学性能的影响，主要内容包括： 1)比较系统地研究总结了InP基HBT理论模型及其相关物理量的计算，结合MS软件及有关文献总结了禁带变窄效应的产生原因及计算公式，这些都是对该模型的进行各种理论模拟的基础； 2)计算了禁带变窄下本征载流子的浓度变化量，在此基础上，研究了禁带变窄效应对HBT电流输运和基区电阻的影响； 3)根据本征载流子浓度的变化，进一步讨论了禁带变窄效应对HBT渡越时间以及反注入条件下的电流增益变化的影响，提出了一些器件优化设计方案。 本文主要是在J—R模型下建立相应的HBT物理模型，所得到的能带均是利用MS软件计算所得，最终模拟结果显示，精确考虑禁带变窄效应对描述HBT的各种电学性能，进而选择合适的材料系，混晶比，优化HBT的结构设计，是十分重要的。但是，要完全解释BGN效应对InP基HBT电学性能的影响，还必须考虑其他因素，诸如Kirk效应，发射结电流集边效应，温度及击穿特性等。