禁带变窄效应相关论文
发射区重掺杂引起的禁带变窄效应使常规硅双极晶体管HFE具有较高正温度系数，为了获得电流增益HFE具有低温度系数的双极型晶体管，结合......
本文主要研究了禁带变窄效应对InP基HBT电学性能的影响，主要内容包括： 1)比较系统地研究总结了InP基HBT理论模型及其相关物理量的......
分析了禁带变窄效应和少子陷阱效应对低温双极晶体管正向渡越时间的影响，在此基础上，建立了综合两种效应的正向渡越时间模型，理论计算......
重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生禁带变窄效应(BGN).对于基区重掺杂Npn突变AlGaAs/GaAs HBT,BGN引起导带和价带突......
重掺杂效应是引起基区禁带变窄的主要原因，但是高注入也将引起禁带变窄效应，这一影响在低温下尤其明显。本文建立了低温下硅双极晶体......
