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4H-SiC材料具有宽禁带,高临界击穿电场强度,高热导率等优点,适宜于制备高压晶闸管。由于SiC材料缺陷会限制芯片尺寸,SiC晶闸管只能形成方片管芯结构,而非Si晶闸管圆片结构,因此在SiC晶闸管中难以直接采用Si晶闸管斜角终端结构。在SiC高压器件中场限环因所需终端面积较大,刻蚀型JTE对刻蚀精度要求较高,多采用台面离子注入型JTE复合型结构来实现终端保护,但传统离子注入型JTE结构击穿电压对JTE中掺杂剂量变化较为敏感,且均未考虑台面弧度变化对器件击穿电压影响,针对该两点问题,本文通过商用仿真软