硅正离子是一种三配位的含硅元素的阳离子,结构与碳正离子类似。但是其化学性质与碳正离子截然不同,硅正离子的稳定需要有弱配位的碱做阴离子。本文主要讲述了利用弱配位的碱(碳硼烷阴离子)合成硅正离子的方法,以及对最终意外得到的产物[H9O4][HCB11H5Br6-]进行分析介绍。并对碳硼烷阴离子的碳氢键进行硅基取代,在增强其溶解性的同时尝试着用二烷基硅基取代的碳硼烷阴离子来合成硅两性离子。此外,本文还研究了一种有机硅化合物合成的重要原料四(三甲基硅基)硅烷的合成,并就其产率的影响因素做了详细分析。本文的研究内容分为以下三个部分：1.由癸硼烷为原料经过一系列反应合成取代的碳硼烷的三苯碳盐[Ph3C+][HCB11H5Br6-]和[Ph3C+][HCB11Me5Br6-],并与含有硅氢键的化合物反应合成硅正离子的方法。以及对最终得到的碳硼烷酸[H9O4+][HCB11H5Br6-]的结果进行分析以及相关的介绍。2.对[Me3NH+][HCB11H5Br6-]的碳氢键进行硅基取代,得到一系列的硅基取代的碳硼烷阴离子(R3SiCB11H5Br6-),并就二烷基硅氢取代的产物进行分子内硅两性离子的合成进行尝试。3.研究四(三甲基硅基)硅烷的合成方法,并对其反应条件与各原料的加料比例对产率的影响进行分析,最终找出最高产率的合成方法,进而进行大量合成工作。