论文部分内容阅读
该文系统分析了利用ＵＨＶ／ＣＶＤ技术外延Ｓｉ〈，１－Ｘ〉Ｇｅ〈，Ｘ〉合金时Ｇｅ的表面偏析现象。用二次离子质谱仪（ＳＩＭＳ）对Ｓｉ和Ｇｅ的组分作了深度剖析，在生长过程中，组分均匀，在表面Ｇｅ含量减小，在次表面有一低Ｓｉ含量。用Ｘ射线光电子谱（ＸＰＳ）分别在不经过清洗、在ＨＦ酸中浸一会去掉氧化层的情况下，对外延层表面进行了定量分析，Ｇｅ的表面偏析与表面氧化相关。