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会议论文
红光激发多孔硅PL谱的上转换特性
红光激发多孔硅PL谱的上转换特性
来源 :第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huang_hh
【摘 要】
:
采用电化学腐蚀法制备多孔硅(PS),测量了PS在近红外光(800nm)激发下的光致发光(PL)谱和光致发光激发(PLE)谱,结果表明PS具有良好的上转换荧光特性,而且硅片初始电阻率越低,发光强度越大。
【作 者】
:
崔德升
王水凤
【机 构】
:
工业大学材料研究中心(天津)
【出 处】
:
第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
光激发
多孔硅
光致发光
电化学腐蚀
荧光特性
近红外光
发光强度
上转换
电阻率
硅片
法制
测量
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采用电化学腐蚀法制备多孔硅(PS),测量了PS在近红外光(800nm)激发下的光致发光(PL)谱和光致发光激发(PLE)谱,结果表明PS具有良好的上转换荧光特性,而且硅片初始电阻率越低,发光强度越大。
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