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通过热丝化学气相沉积法(HW-CVD),采用间歇供气方式制备硅薄膜.实验发现该方法在有机衬底上生长的薄膜为多晶硅结构,而采用连续供气法在有机衬底上生长的薄膜则为非晶硅结构.间歇供气法制备多晶硅薄膜生长速率约为20(A)/S.对有机衬底上多晶硅薄膜的生长机理进行了讨论.
利用间歇供气法在柔性衬底上制备多晶硅薄膜
【摘 要】
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通过热丝化学气相沉积法(HW-CVD),采用间歇供气方式制备硅薄膜.实验发现该方法在有机衬底上生长的薄膜为多晶硅结构,而采用连续供气法在有机衬底上生长的薄膜则为非晶硅结构.间歇供气法制备多晶硅薄膜生长速率约为20(A)/S.对有机衬底上多晶硅薄膜的生长机理进行了讨论.
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江杭州,310027
【出 处】
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第九届中国太阳能光伏会议
【发表日期】
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2006年4期
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