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综述了GaN基垂直结构LED载流子局域效应对光强平面分布的影响，本文中VSLED采用Au-Au键合技术将LED外延片和Si片进行键合，之后用MALLO-5000微区激光剥离机剥离蓝宝石得到。调整不同键合和激光剥离条件，从而得到芯片外延层中不同的应力分布，进而影响到VSLED芯片发光强度，波长在表面的不同分布。