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n-InN/p-GaN发光二极管的电致发光
n-InN/p-GaN发光二极管的电致发光
来源 :第十八届全国半导体物理学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:asicsyao
【摘 要】
:
由于InN的发光波长可以延伸到长波长通讯波段,使得InN材料在光纤通讯系统中使用的激光器和光二极管上具有潜在的应用价值,有可能为光通信器件的发展带来新的突破。在MOCVD
【作 者】
:
吴国光
沈春生
郭忠杰
高福斌
张硕
李万程
宋力君
【机 构】
:
集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,吉林长春,130012
【出 处】
:
第十八届全国半导体物理学术会议
【发表日期】
:
2011年期
【关键词】
:
p-GaN
发光二极管
光纤通讯系统
光通信器件
InN
应用价值
物理性能
单晶薄膜
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由于InN的发光波长可以延伸到长波长通讯波段,使得InN材料在光纤通讯系统中使用的激光器和光二极管上具有潜在的应用价值,有可能为光通信器件的发展带来新的突破。在MOCVD制备的p型GaN衬底上,采用RF-MBE方法生长了未掺杂的InN单晶薄膜。并对其物理性能进行了研究。
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