调制光谱相关论文
利用光调制反射谱(PR)对1.55μm应变层InGaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡.利用Basta......
一氧化碳(CO)是碳氢化合物未充分燃烧时的最终产物,也是碳氢化合物充分燃烧时的中间产物,对诊断燃烧反应路径和过程具有极重要的作......
用位相共轭超快调制光谱方法提高能级测量精度米辛，俞祖和，姜谦，李晓峰，傅盘铭（中国科学院物理研究所光物理实验室北京１０００８０）传统的量子拍频光......
我们利用光调制反射光谱研究了ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ单量子阱，观察到了电子的１１Ｈ及１１Ｌ跃近．通过改变表面垒的厚度，使得真空垒对阱中电子态影响发生变化，由于量子阱......
组装 DTG—1多用电化学调制光谱仪,进行了电极在不同溶液中的调制光谱测试,在钝化膜研究中获得了一些有意义的结果。对某些研究对......
电化学调制光谱是电极表面研究的一种新方法。作者研制了一台DTG—1多用电化学调制光谱仪。本文介绍了它的原理、仪器系统和主要性......
利用电化学调制光谱,并结合电化学稳态法和交流阻抗技术,研究了304不锈钢在含Cl~-离子介质中的阳极钝化行为。初步结果是:当不锈钢......
基于近红外波长调制光谱和谐波探测方法,并采用时分复用方案,建立了多组分毒性气体同时检测的实验系统。成功实现了对火灾产物中多......
频率调制光谱稳频法利用参考气体对激光吸收量来反馈控制激光波长稳定,反馈信号的提取通过调节参考信号与吸收分量同相的方式实现......
随着现代激光技术的发展,可调谐半导体激光吸收光谱(TDLAS)技术因其具有光谱分辨率高、选择性好、灵敏度高、响应速度快等优势,所......
本文阐述了调制光谱仪器的一些优点:如光能利用率高、光谱强度大、光谱分辨率高、光谱信噪比高、选择性好等。但仪器较复杂,并需配......
本文利用内调制光谱和无多普勒双光子吸收的原理,提出了消除在无多普勒双光子吸收测量和荧光测量中的多普勒展宽背景的测量技术。
......
用调制光谱的方法对分子束外延（ＭＢＥ）生长在ＧａＡｓ（１００）衬底上的一组超薄层本征型ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ层进行了原位的研究．对厚度在３５ｎｍ以下的一组样品观察到了若干个跃迁峰，而......
在１６８４０ｃｍ－１－１６８６０ｃｍ－１内测量了ＮＯ２分子的塞曼调制光谱（ＺＭＳ），得到了相对简化的ＮＯ２分子光谱的转动结构，解释了塞曼调制光谱的形成原因和它的主要特征．表明ＺＭＳ光谱技术有助......
采用ＡＴ＋激光泵浦单模稳频染料激光器，在１６８４０ｃｍ－１－１６８６０ｃｍ－１测量ＮＯ２分子的斯塔克（Ｓｔａｒ）调制谱。用一阶和二阶斯塔克效应对谱线的线型和强度进行了理论分析，并获得了一......
本文采用Stark调制光谱对NO_2分子593nm附近的A~2B_2←X~2A_1跃迁进行了测量,通过强度分析得到~2B_2激发态的电偶极矩常数.对简并......
研究了Al_xGa_(1-x)P液相外延层(x≤0.58)在2.0eV到5.5eV范围内的电反射调制光谱,对测量的光谱结构进行了分析,得到了AlGaP中E_0、......
本文报道了用电调制反射光谱法测量GaA1As的能隙与组份的依赖关系,以及外延薄层和异质结界面处组份的纵向分布。利用样品在紫外区......
本文首次报道了异质结NIPI结构的室温光调制反射光谱及其随调制光强的变化,并对调制机制进行了讨论.最后,通过比较理论与实验结果,......
用有效质量理论研究了δ掺杂势中电子和空穴的行为。发现能量接近于δ势垒峰的空穴穿越势垒时能产生一系列谐振态。这些状态中的空......
用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的GaAs/Ga_(1-x)Al_xAs异质结,发现不同厚度的GaAs复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响,由GaA......
报道了ＭＢＥ生长的ＣｄＴｅ／Ｃｄ１－ｘＭｎｘＴｅ：Ｉｎ调制掺杂应变层多量子附材料的光荧光光谱，低温下观察到一个由多电子－单个空穴散射引起的很强的费密边奇异的发光现象，对......
1 引言粘接工艺是DVD复制生产的核心工艺。对于DVD-5,一个单片的信息面在溅镀后与另一空白DVD单片粘接。对于DVD-9,DVD-10和DVD-1......
仲嘉霖，苏州城建环保学院基础部主任、教授。１９８８年，仲嘉霖的第一篇论文《自旋为１的键格点稀疏横伊辛模型的临界性质》发表在德国的《固态......
本文介绍了光调制光谱（ＰＲ）在ＭＢＥ生长中原位光谱检测中的应用．利用了光调制光谱（ＰＲ）本身特有的在室温下有很高的灵敏度，并进一步与ＭＢＥ系统有效结合，为......
作者设计制作了多种空间调制扫描装置,并应用于实验室的各种调制光谱实验中.空间调制方法(微分方法)利用被测材料的参数在空间分布......
该论文做了下面四个方面工作:第一,首次提出了均匀电场中Franz-Keldysh振荡的复傅里叶变换(CFT)分析方法.第二,首次研究了无接触电......
提出了用调制光谱信号强度表征半导体体材料及微结构的非线性极化率，研究了测量的原理和方法．对玻璃中量子点电反射调制光谱信号强度......
利用光调制反射谱(PR)对1.55 μm应变层InGaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡.利用Bast......
本文提出了一种用于拟合计算光调制反射光谱的高斯线型表达式。通过对具体的Ｓｉ－－δ掺杂的光谱拟合计算并与常用的洛仑兹线形的计算进行......
本文利用光调制光谱与分子束外延结合的方法，原位测量ＧａＡｓ（００１）表面Ｓｉ－δ掺杂结构样品，排除了ＦＫ振荡对Ｓｉ－δ掺杂相关的光谱结构的影响，观察到Ｓｉ－δ掺杂结构......
利用调制光谱技术研究了以分子束磊晶法成长于GaAs基板上的GaN薄膜的光学特性。结果表明，在PR、CER及PzR谱线中均可观察到激子跃迁......
本文主要研究了调制探测激光场中铯Rydberg原子阶梯型三能级系统的电磁感应透明（EIT）效应.铯原子基态6S-1/2）,第一激发态6P-3/2）和Rydb......
提出了用调制光谱信号强度表征半导体材料及微结构的非线性极化率，研究了测量的原理和方法，对玻璃中量子点以射调制光谱信号强度随团......
介绍了一种可有效减小光谱编码测量中的相位误差，提高光谱分辨本领的精细采样方法，基于π变换和快速阿达玛变换（ＦＨＴ），给出了精细采样的解码......
我们采用光调制透射方法从In_xGa_(1-x)As/GaAs单量子阱样品测量了调制透射谱,得到了InGaAs量子阱中激子的清晰的调制结构.由电场......
本文采用调制光谱方法测量了ＧａＡｓ／Ｇａ１－ｘＡｌｘ－Ａｓ双单量子阱材料的光调制反射光谱（ＰＲ），同时观察到了二个单量子阱中的带间激子跃迁，采用电场调制线形可以拟合......
本文采用光调制反射光谱（PR），双晶衍射（DCRD），光荧光激发光谱（PL）等技术研究了MBE－GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况，以及从不同温度快速热......
由于基于40μm保偏光纤的商用光纤器件制作技术和保偏熔接技术尚不成熟,一般的保偏光纤参数测量方法很难直接应用。文章提出在1根4......
利用光调制反射谱(PR)对1.55 μm应变层InGaAsP三量子阱激光器结构进行了研究,在样品的波导层观察到了Franz-Keldysh振荡.利用Bast......
用光调制光谱方法研究了逐层腐蚀的ＧａＡＳ／Ｇａ１－ｘＡｌｘＡｓ异质结，发现不同工的ＧａＡｓ复盖层对异质结表面层电子能带有很大影响。由ＧａＡｓ带间跃迁的Ｆｒａｎｚ－Ｋｅｌｅｙｓｈ效应计算出表面层表......
由中科院安徽光机所承担的“863”项目——可调谐红外激光差分吸收汽车尾气道边监测技术与系统研究，不久前通过国家验收。该系统是......
