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一个高速16K位n沟道MOS随机存储器
本文介绍一个高速16K位动态MOS随机存储器(RAM)的方案。这个存储器采用了先进的n沟道硅栅MOS工艺(5μm 光刻技术)制成的面积为22×......
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与射极耦合逻辑(ECL)相容的4096单元高速随机存储器
本文介绍一种4096单元准静态(Pseudostatic)MOS随机存储器,它的全部输入(包括时钟)都与射极耦合逻辑(ECL)相容。这种存储器的取数......
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