表面反型层相关论文
本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动......
比较了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ和增强型表面沟道ｐＭＯＳＦＥＴ的导通机理，提出了一种处理沟道反型注入非均匀掺杂浓度的方法，推导了增强型埋沟ｐＭＯＳＦＥＴ阈值电压的计算公......
为了描述生长在弛豫Si1-xGex层上应变Sin型金属氧化物半导体场效应晶体管(nMOSFETs)反型层中电子迁移率的增强机理,提出了一种新型......
集成电路内各元件间的电隔离方法有许多种,这里介绍的是平面空气隔离法。这种方法利用平面技术使各元件完全隔离,可以说是一种空......
本文导出了非简并状态反型层中电位与载流子浓度热平衡分布的解析表达式,其结果与计算机求得的精密数值解符合很好.由本文结果还可......
用一种新的隧道注入机构,研究了半导体表面耗尽层准二维系统的电子能谱.对Si(100)表面,在室温下,确定出了多达10个以上的子带能量.......
