电输运相关论文
三元稀土铝锗化物RAlGe（R=稀土）作为新型外尔半金属候选材料之一,由于其独特的能带结构和特殊的原子空间排列方式而表现出复杂的磁性......
碱土金属钙钛矿AFe O3（A=Ca,Sr,Ba）是少有的能够稳定反常高价态Fe4+离子的化合物,这些体系展示了强烈的p-d杂化效应、螺旋磁有序、半......
近年来，金属-绝缘体-金属（MIM）结构中发现的电场/电流导致的电阻开关效应（RS effect）引起了研究者的广泛关注。RS效应涉及强场下的电输......
加速材料的研发进程目前已成为世界各国的共同追求,如何基于低成本、高可靠性的预测方法来指导实验从而快速获得新材料已经成为一......
拓扑绝缘体是一类具有奇特物理性能的新型量子材料,其表面导电,体态绝缘,在拓扑量子计算和自旋电子器件领域具有重大的应用潜力。......
层状化合物材料的准二维晶体结构特点,使其展现出一系列优异的物理性能,其材料制备/改性及其功能器件设计和应用受到材料及物理学......
巨磁阻现象的发现极大地促进了现代存储行业的发展,但铁磁存储器相邻存储单元间的杂散场极大地降低了存储密度。随着在反铁磁自旋......
SrRuO3具有金属性和巡游铁磁性,在氧化物微电子器件和自旋电子学中有重要的潜在应用。而拓扑行为、特别的量子行为、显著的光压行......
最近二十年间,拓扑理论在凝聚态物理方面发挥着越来越重要的作用,拓扑型激发在各种不同的凝聚态系统中都有体现,这些新奇的拓扑量......
锗（Ge）与锡（Sn）同为IV族元素,其合金(Ge1-xSnx)具有与硅（Si）一样的金刚石结构。特别的是,理论上预测当Sn含量达到6%-11%时,锗锡合金的能......
低维材料由于其独特的结构,展现出大量新奇的物理特性,吸引着广大科研工作人员的关注。本论文主要利用高温高压合成方法探索并制备......
化学掺杂是调控非常规超导电性的有效手段。对不同掺杂浓度的超导体进行细致的表征有助于提取主导超导电性的关键参量,进而为深入......
分子电子学是一个旨在利用单个分子或少数几个分子作为元器件制备各种功能化的分子器件乃至电子电路的前沿学科领域。一系列单分子......
氮化锆、氮氧化锆薄膜通常由金属键和共价键混合而成,具有共价晶体高熔点、高硬度、优异的热和化学惰性,金属晶体优良的导电性和金......
有机半导体高分子聚合物由于具有溶液可加工性、加工成本低和可弯曲等优点而在柔性电子器件上具有巨大的应用前景。现有的有机半导......
学位
GeP3具有很强的层间量子束缚效应,单层和两层是间接带隙半导体,三层以上呈金属性,同时两层GeP3还具有很高的载流子迁移率,在锂电池......
Ⅳ-Ⅵ族半导体锡-硒材料体系的研究可以追溯到二十世纪五十年代。近年来研究报道在硒化锡(SnSe)单晶发现超高的热电性能,使得这些......
拓扑材料具有奇特的表面态和低能耗的电子输运等性质,这些性质是由于拓扑量子态受到了严格的对称性保护。拓扑量子态对于普通的材......
自从石墨烯被发现以来,硅烯、锗烯、锡烯等其它IV族元素的二维材料成为了凝聚态物理的研究热点。尤其是,锡烯具有室温量子自旋霍尔......
金纳米薄膜作为温度传感器在微纳米尺度测量等领域具有广泛应用。研究金纳米薄膜电输运和热输运特性及在强磁场下的输运特性对解决......
2004年,Novoselov和Geim及其合作者成功地使用胶带从石墨上剥离出了石墨烯,由于其优异的电学性能、优异的机械性能、高导热性、大......
自19世纪工业革命以来,在全世界范围内,人类对能源的需求快速增长。为了满足工业生产和日常生活的能源需求,不可再生能源(如煤炭、......
自旋电子学材料是一种同时利用电子自旋和电荷两种属性的新型功能材料,它的这种特性有望在未来制备出性能更加优异的器件。具有DO_......
文中采用甘氨酸-硝酸盐法分别制备了La2/3(Ca0.45Sr0.55)1/3MnO3/xAg纳米复合材料(x=0；0.1；0.2；0.3).通过X射线衍射、扫描电子显微镜......
由于庞磁电阻的发现，钙钛矿结构的锰酸盐的掺杂对磁电阻效应和相关物理特性的影响被广泛研究。在本文中，通过高温固相反应法制备......
碱土金属元素离子掺杂的钙钛矿型锰氧化物RAMnO因其表现出的超大磁电阻(colossalmagnetoresistance,CMR)效应和电荷有序态(charge-......
电子器件小型化使得纳米材料成为目前凝聚态物理的前沿热门课题。作为理想的电磁元器件，碳纳米管环引起了人们的特别的注意。本文通......
12CaO·7Al2O3电子化合物(C12A7:e–)是一种具有低工作温度和低逸出功等优点的新型电子化合物阴极材料.通过高温固相反应结合放电......
采用光学浮区法生长了层状过渡金属氧化物Bi2Sr2-x Ca x Co2O y(x=0,2)晶体。通过XRD,SEM和TEM结构表征,表明了生长的晶体为层状晶......
在第一性原理基础上,理论研究了苯环上含有不同取代物的四个联苯分子的电输运特性.计算结果表明,当苯环上的氢被取代时,联苯分子的......
在厚度为25-400nm范围内,系统地研究了(001)SrTiO3(STO),(001)LaAlO3(LAO)衬底上La0.67Ca0.33MnO3(LCMO)薄膜的电输运与居里温度TC......
把DNA分子的碱基堆积相互作用视为多个单势垒的组合,电荷遂级隧穿随电压变化的势垒,利用相干隧穿理论计算了8 bp和30 bp的均匀序列......
通过脉冲激光沉积技术制备了超导转变温度约为12 K的FeSe0.4Te0.6超导薄膜,测量了该薄膜晶体结构和在磁场(0-12 T)下的电输运性质.......
利用离子注入然后退火的方法制备了镶嵌有锗纳米晶的二氧化硅复合薄膜，从拉曼散射和透射电镜测量了解到薄膜中镶嵌有5～7nm大小的锗纳......
采用脉冲激光沉积方法在GaAs(001)单晶基片上生长LaAlO3薄膜构成LaAlO3/GaAs异质结,利用原子力显微镜和XRD对LaAlO3/GaAs异质结进......
通过固相反应法制备不同掺杂浓度的La0．7Ca0．3Mn1-xCuxO3（x=0—0．15）样品，在77—300 K温度范围内测量了铜掺杂后样品电阻随温度的变化关......
以苯基乙炔化合物——MPPA分子为研究对象,利用第一性原理计算方法和非平衡格林函数理论,研究了其在一定偏压下的电输运性质.计算......
该文通过对La0.7Ca0.3Mn1-xTiO3（X=0-0．15）样品在77K～300K温度范围内电阻的测量，研究了Ti掺杂后样品电阻随温度的变化规律．研究结果表明：......
利用金刚石对顶砧装置研究了Li Cr0.35Mn0.65O2高压阻抗谱.随压力的增加,晶粒电阻先增加后减小,晶界电阻逐渐减小.在低压下,晶界电......
利用金刚石对顶砧装置测量了高压下β-HgS的电导率和霍尔效应,并对其压力作用下的载流子行为进行系统研究.实验结果显示,β-HgS在......
以LSS（Liquid-Solid-Solution）方法制备出形貌均一的BaF_2纳米晶为样品,将金刚石对顶砧技术与交流阻抗谱测量技术集合起来,用高压原......
利用DAC原位测量技术,研究了Mo O3电阻率和高压阻抗随压力的变化规律.电阻率在10.6 GPa和20.8 GPa时出现不连续变化,对应着Mo O3由......
通过在金刚石对顶砧上集成以氧化铝薄膜为绝缘层的微型测量电路，原位测量了ZnS电阻率随压力的变化，证实ZnS的压致相变为半导体到半导......
为研究钙钛矿锰氧化物中电-声子耦合作用,采用共沉淀法制备La1-xCaxMnO3（0.25≤x≤0.45）块材.利用Keithley 220可编程电阻测量系统、......
利用机械化学法合成了平均粒径为17nm的钠钨青铜NaxWO3(x～0.88) 纳米晶材料.高纯Na片和WO3粉末经过行星式球磨机1h高能球磨,有固相......
用固态反应法制备了YBaCo4-xAlxO7（x=0.0,0.1,0.2）样品,研究了从室温-900 ℃范围内Al掺杂对氧吸附/脱附和样品电输运性能的影响.Al掺......
通过溶胶-凝胶的方法,制备了La0.6Sr0.15 Na0.1□0.15MnO3与微量Ag的掺杂样品（掺杂量为x=0.000、x=0.016、x=0.040、x=0.100）.测量其......
