氢退火相关论文
本文报道了利用射频磁控溅射方法存室温下制备了氧化锌薄膜晶体管的实验结果.x光衍射谱(XRD)表明所制备的氧化锌薄膜有很好的c轴择......
过渡金属氧化物二氧化钒(VO2)在温度340 K附近会发生金属绝缘体的转变(metal-insulator transition,MIT).基于金属绝缘体的转变性......
本文介绍了3Cr2W8V大截面锻材的热处理工艺:锻后回炉再烧+快冷+一般退火;回炉+块冷+扩氢退火;锻后立即进炉扩氢退火,并分析了三种......
利用固相反应法在700℃-1000℃不同的温度下、空气中烧结Co3O4和TiO2混合物,制备了(Co3O4)x/3(TiO2)1-x(0......
研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷(voids)的影响.样品在1050～1200℃范围进行氢退火,退火前后样品上的流水花样缺陷(FPD)......
用射频磁近溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响。用傅里叶红外透射谱（FTIR）、X射线衍射（XRD）、X光电子......
摘要： 光波导器件在许多领域都有着广泛的应用和良好的发展前景。而波导器件表面粗糙度影响传输光损耗和环形腔Q值，制约光波导器......
研究了氢退火对大直径直拉硅单晶中空洞型缺陷（Voids)的影响，样品在1050－1200℃范围进行氢退火，退火前后样品上的流水花样缺陷（FPD）和晶......
外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀相继处理之后,发出位于431 nm左右的蓝色荧光峰.随电化学腐蚀条件的增强,蓝色荧......
N型外延硅经过碳注入、氢气氛下高温退火和电化学腐蚀后,发出峰值波长位于431 nm左右的蓝色荧光.随电化学腐蚀条件的变化,蓝色荧光......
真空碳脱氧技术为国内外制造高质量电站锻件、生产大型钢锭的先进工艺.与真空浇注法相比,具有更好的脱氢率与脱氧率,能进一步提高......
从单晶硅内氢杂质的引入 ,氢钝化施主 ,钝化受主 ,钝化缺陷等几方面对近年来单晶硅内氢杂质的特性研究进行了综述 ,强调了氢加速氧......
碳化硅（SiC）是一种宽带隙半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、电子迁移率高、热导率高、抗辐射能力强等优良的物理化学特性，以及......
用射频磁控溅射法在常温硅衬底上制备了碳化硅薄膜并研究了氢退火对薄膜的影响 .用傅里叶红外透射谱(FTIR)、X射线衍射 (XRD)、X光......
光波导是一种新型光传输介质,尺寸小于微米量级,是信息技术和纳米技术的交叉应用之一,具有较低的传输损耗和较强的倏逝场,相关器件......
二氧化钛(TiO2)作为半导体材料,目前主要应用于光催化和染料太阳电池。虽然它是间接带隙半导体导致室温下带边发光效率不高,但由于......
学位
采用反应型热化学气相沉积系统在硅（100）衬底上外延生长富锗硅锗薄膜。四氟化锗作为锗源,乙硅烷作为还原性气体。通过设计表面反应,......
