采用电子回旋共振(ECR)氢等离子体发生系统清洗n型4H—SiC(0001)表面,利用原位高能电子衍射(RHEED)对处理过程中表面微结构进行实......

采用ＥＣＲ－ＰＡＭＯＣＶＤ技术，在（００１）ＧａＡｓ衬底上，以ＴＭＧ为镓源、以高纯氮气为氮源，低温生长出了纯立方ＧａＮ。利用透射电子显微镜（ＴＥＭ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）测量，研究了衬底预处理条件对Ｃ－ＧａＮ／（００１）ＧａＡｓ外延......

　采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR PEMOCVD)技术,在α Al2O3(0001)(蓝宝石)衬底上,分别以高纯氮气(N2)......

采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积 (ECR -PEMOCVD)技术 ,在c轴取向的蓝宝石即α Al2 O3( 0 0 0 1)衬底上 ,以......

采用电子回旋共振等离子体增强金属有机物化学气相沉积（ECR－PEMOCVD）技术，在α－Al2O3（0001）（蓝宝石）衬底上，分别以高纯氮气（N2）和三甲基铝（TMAl）......