该文开展不同温度下GaN基HEMT器件氢气效应的试验研究。通过对比不同氢浓度和不同温度条件下器件变化情况,试验发现常温下不同浓度......

该文使用穆斯堡尔谱研究了非晶态Ｆｅ－（ＣＯ，Ｃｒ）－Ｚｒ和Ｆｅ－（Ｎｉ，Ｃｒ）－Ｓｉ，Ｐ，Ｃ）合金的掺氢效应。在室温下，ａ－Ｆｅ－Ｃｒ－Ｚｒ合金穆斯堡尔谱是顺磁谱，但是，掺氢后它们变成了铁磁谱，对于Ｆｅ－Ｃｒ，Ｆｅ－Ｎｉ，Ｆｅ－Ｃｏ基非晶态合金......

采用电解法测定气体中的微量水分，存在氢效应、氧效应两种主要的误差来源。不同的电极材料对氢效应、氧效应有直接的影响。......

GaAs PHEMT低噪声放大器高温电老炼试验过程中存在电流先减小后部分恢复的现象。基于内部气氛检测结果和电路结构分析,认为低噪声......

氮化镓(GaN)半导体材料由于禁带宽度大、电子迁移率非常高、耐击穿电场高、耐热性能好以及抗辐射能力优异等特点,故其是制作高频、......

氢引起微波芯片性能退化，降低沟道载流子的浓度，改变金属栅与半导体接触的肖特基势垒，密封腔内氢反应生成水，氢致裂纹，金属被氢化：通过优......