正电子寿命相关论文
正电子寿命分析技术是研究材料微观结构的有效手段，本文对国内外正电子湮没技术的发展作了简要的回顾，着重对正电子湮没寿命测量技术......
本论文研究氧含量和稀土掺杂对铁磁电材料BiFeO电学性质的影响。采用固相反应法制备一系列样品，利用XRD物相分析评价样品晶粒生长状......
采用中性原子叠加模型和有限差分方法(SNA-FD)计算了大范围内不同管径的单壁碳纳米管束中的正电子情况,发现对于单壁碳纳米管束,正......
在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H-SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一......
在10～300 K 的温度范围内,测量了用液封直拉法(LEC)生长的n-InP经高温退火后形成的未掺杂SI-InP 晶体的正电子寿命谱. 用PATFIT和ME......
用 1.15GeV的氩离子在室温下对二氧化硅玻璃样品进行了辐照 ,并通过正电子寿命测量技术研究了辐照后材料微观结构的变化。结果表明......
测量了不同CaCO3含量的ZnO-Bi2O3-Sb2O3-Co2O3-MnO2-Cr2O3-CaCO3压敏陶瓷的正电子寿命谱及其Ⅰ-Ⅴ特性,研究了CaCO3对ZnO基压敏陶......
采用固相反应法制备了不同含氧量的BiFeOδ多晶陶瓷样品,利用HP4294A阻抗分析仪测量了样品的介电特性随频率和氧含量的变化,用正电......
在密度函数理论的基础上,采用中性原子叠加模型和有限差分方法(SNA-FD)计算了石墨,金刚石和C60这三种碳的同素异形体中的正电子分......
在20～300K低温范围内,通过对电子辐照前后n型6H-SiC正电子湮灭寿命谱的测量,揭示了不同空位型缺陷之间的正电子捕获的竞争.建立了一......
通过正电子寿命测量及结构分析 ,研究了氦气氛球磨LaNi4 .75Al0 .2 5和Zr50 Co50 贮氢合金中氦的存在行为 .研究结果表明 :随着气......
以肉桂醛选择加氢制肉桂醇为探针反应,研究了Co-Fe/硅藻土催化剂选择加氢性能,并采用X射线衍射(XRD)和正电子寿命谱(PAT)研究了助......
研究了Ti-50AI和Ti-45Al-8Nb合金在锌液中的腐蚀行为，并测量Ti-50Al和Ti-45Al-8Nb合金的正电子寿命谱，利用正电子寿命参数分别计算了......
测量了铝含量从47at%到53at%的二元TiAl合金的正电子寿命谱.结果表明:所有测试合金晶界缺陷的开空间均大于金属Al单空位的开空间.......
用正电子寿命谱研究了La1.6-xNd0.4SrxCuO4（X=0．12，0．15，0．20）和La1.88Sr0.12CuO4，结果表明随着Sr掺杂量的增加，空穴载流子增加，而正电子寿命......
采用固相反应法制备了掺杂不同量Ho2O3的Ba1-xHoxTiO3陶瓷(x分别为:0,O.2％,0.3％,0.4％,0.5％,0.6％,0.7％);对其室温电阻率进行了测量,结果显......
采用固相反应法制备Ba1-xCaxTiO3陶瓷样品,运用X射线衍射技术进行物相分析,利用HP4294A阻抗分析仪测量样品在室温下的介电特性随频......
研究了B2型多晶NiAl的晶界结构对缺陷态正电子寿命的影响,并结合正电子谱探讨了热挤压及超塑性变形过程后的晶界结构.热挤压后的Ni......
用不同能量和注量的电子辐照BaF2：Sr晶体，分别测量了辐照前后的正电子寿命谱和吸收谱。为了与正电子寿命谱结果对比，也测量了相应的荧......
正电子湮没线形参数测量和寿命测量对A508cl.3钢中位错密度反映是灵敏的。当疲劳损伤N/Nf≤10％，被测数据与损伤量有较好的对应关系。......
<正> 自从1989年Fleischman及Pons发表了用钯阴极电解重水诱导室温核聚变(又叫“冷核聚变”)以来,多数学者对其实验结果持怀疑态度......
Positron lifetime measurements have been made in natural polymer-Nistari silk fibers as a function of isochronal anneali......
用正电子湮没寿命谱方法结合硬度测试手段，对等离子体喷涂铁合金涂层退火处理后的微观结构及缺陷进行了研究，讨论了不同退火温度下缺......
本文报导了利用正电子湮没技术对YBa2Cu3O6+x光辐照效应的研究,给出了正电子寿命参数随辐照时间的变化关系,讨论了光辐照对YBCO体......
测量了二元Ｆｅ３Ａｌ及含Ｃｒ或Ｍｏ的Ｆｅ３Ａｌ合金的正电子寿命谱参数，计算了合金基体和缺陷处的价电子密度。实验结果表明，Ａｌ和Ｆｅ结合形成Ｆｅ３Ａｌ合金时，Ａｌ原子提供价电子与......
用正电子寿命谱技术研究了重掺Te的GaSb原生样品、电子辐照样品和质子辐照样品.室温正电子寿命测量揭示出原生重掺Te的GaSb样品中......
为研究寿命分解对 ZnO 缺陷寿命影响，模拟了 ZnO 中空位浓度在1015～1018 cm－3的含 Zn 空位、Zn 空位氢复合体、Zn＋O 双空位的 ZnO 正电......
对充氚和未充氚的抗氢-2不锈钢（HR-2）样品进行退火处理，利用正电子湮没寿命谱技术以及金相检验技术探讨不锈钢中氮和微缺陷的相互作用......
正电子计算是正电子材料研究中的一个重要的不可或缺的研究领域,一个成功的正电子研究要求在正电子实验测量的基础上,计算出正电子......
正电子是人类发现的第一个反粒子,正电子和物质中电子相遇时会发生湮没并发出γ光子。七十余年来,正电子淹没研究取得了很多杰出的......
本文建立了一套双高纯锗探头——二维多道符合技术正电子湮没辐射多普勒展宽装置。用该装置测量的正电子湮没辐射多普勒展宽谱的峰......
首先,本文通过测量Ta205掺杂的0.9Al2O3-0.1TiO2基微波介质陶瓷材料的体积密度、符合正电子湮没的寿命谱参数,并用XRD和SEM分析其......
