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功率MOS器件因其具有开关损耗小,驱动电路简单,易集成等优点被广泛用于功率集成电路中,其主要研究方向为实现器件的高功率与低损耗......
近些年来，随着电力工业的发展和环保意识的提高，高效和节能越来越受到人们的重视。因此，对功率MOS器件的功耗和转换效率要求也越来越......
围绕TrenchMOS的击穿电压BVds、特征导通电阻Ron和栅漏电荷Qgd这三个最重要的特性指标,对TrenchMOS进行分析和改进,提出了体内注入......
碳化硅（SiC）材料具有临界击穿电场强,热导率高,禁带宽度大等特点,在高功率、高频、高温的电力电子系统应用中具有优势。SiC MOSFET器......
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