栅接地nMOS相关论文
随着集成电路技术的发展，新工艺不断出现，特征尺寸不断减小，ESD保护结构的设计面临更多挑战。因此深入研究GGNMOSESD防护特性及其影响......
介绍了在强电流作用下的ggnMOS作用机理,分析了ggnMOS抗ESD能力的主要表征参数,利用X射线辐射系统和TLP测试系统研究了辐射总剂量......
针对深亚微米工艺实现的GGNMOS器件推导分析了其相关寄生元件的工作机理和物理模型，并基于Verilog-A语言建立了保护器件的电路仿真......
在集成电路领域,随着工艺特征尺寸的不断缩小,芯片可靠性问题已经成为制约集成电路发展的瓶颈之一。而在众多失效原因中,由静电放......
基于对静电放电(electrostatic discharge,ESD)应力下高电压、大电流特性的研究,本文通过优化晶格自加热漂移-扩散模型和热力学模......
半导体制造工艺的飞速发展使器件特征尺寸不断缩小、芯片集成度持续提高，但随之而来的电路和器件的可靠性问题也日益严峻。静电放电......
随着半导体工艺的不断进步，微电子器件的特征尺寸不断缩小，导致器件栅氧化层厚度越来越薄，内部电路也更容易受到静电放电损害而失效，因......
