柯肯达尔空洞相关论文
粗铝丝键合具备过流大、键合灵活的优点，被广泛应用于VDMOS等大功率器件的封装。但功率器件工作时发热量大，粗铝丝/金层键合系统在长......
期刊
三维集成电路具有功耗降低、电气性能优良、形状因子高的优点，随着电子产品微型化、多功能化不断发展，芯片的尺寸越来越小，功率越来越......
通过向锡钎料中添加不同含量的zn元素，系统研究了锌对SnxZn／Cu（x=0，0．2，0．5，0．8（质量分数，％））界面处柯肯达尔空洞形成的影响．结果表明，经热老化处理......
作为新型的芯片层间互连技术,铜柱凸点具有更好的导电导热性能,易实现超细节距互连,满足高密度三维封装的要求。随着集成电路的特......
无铅化电子组装中，由于原材料的变化带来了一系列工艺的变化，随之产生许多新的焊接缺陷。本文针对电迁移和Kirkendall空洞等缺陷进行......
研究了在多次回流下Au80Sn20焊层的微观演变机制及对半导体激光性能的影响,为采用自动化精密校准机械设备,多次回流实现激光叠阵自......
随着电子产品的微型化和多功能化，电子封装的密度不断增加，封装芯片和焊点（钎焊接头）的尺寸越来越小，使得反应界面占整个接头的比例越来......
对集成电路中常见的Au、Al键合的可靠性进行研究,重点分析高温条件持续时间对引线键合的影响。采用镜检和拉力测试的方法对引线键......
由于Pb元素具有毒性,各国相应的法规禁止使用含铅焊料,因此无铅焊料的研究迫在眉睫。目前已经有上百种无铅焊料。Sn-3.5Ag系无铅焊......
在电流密度分别为1.7,50mA·cm^-2下电镀制备了两种电镀铜基板,将其与锡粒回流焊接成锡/铜接头,并在150℃老化不同时间（10,20d）,......
