晶圆减薄相关论文
在晶圆大型化和芯片超薄化的趋势下,作为半导体工艺中重要的一环,晶圆减薄备受重视,单晶硅和碳化硅的减薄模拟也层出不穷。借助分......
在基于硅通孔（TSV）三维高密度集成技术中,晶圆减薄是关键工艺技术之一,减薄过程中面临更多未知的界面和表面问题,如表面微裂纹、界面......
晶圆磨削过程中,磨削力是表征磨削状况的一个重要指标。磨削力的大小不仅影响晶圆磨削的质量,而且还能够反映出砂轮的磨损情况。随......
研究了研削工艺中磨轮目数对被减薄碳化硅(SiC)表面和欧姆接触的影响,并基于减薄工艺和激光退火工艺成功制备出170 μm薄片SiC肖特......
化合物半导体材料的应用经历了稳定的增长,尤其是在光电子产业中更为典型.这些材料的应用要求在封装之前需将衬底减薄到100μm以下......
分析了在多芯片叠装封装产品中采用晶圆级芯片贴装薄膜对传统芯片制备以及后续封装工艺所产生的巨大影响。阐述了在晶圆级芯片贴装......
化合物半导体材料的应用经历了稳定的增长,尤其是在光电子产业中更为典型.这些材料的应用要求在封装之前需将衬底减薄到100μm以下......
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分析了在多芯片叠装封装产品中采用晶圆级芯片贴装薄膜对传统芯片制备以及后续封装工艺所产生的巨大影响。阐述了在晶圆级芯片贴装......
单晶硅是半导体行业重要的功能材料,加工时首先被切割成晶片,然后通过研磨和抛光获得光滑表面。本文介绍了一种新的化学机械磨削（CM......
磨削工艺直接影响着磨削后晶片的参数,在这些参数中,表面粗糙度是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一。分析了磨削工艺中砂轮粒度......
近年来,半导体封装产业发展迅速,出现了众多新型应用,例如各种MEMs传感器,便携式电子设备等。随着半导体封装技术的发展,半导体封......
学位
<正>SiC(碳化硅)和GaN(氮化镓)是使用宽带隙半导体的新型开关功率晶体管,它们很可能会持续显著地增加功率转换效率(参考文献1)。但......
对三维(3 Dimension,3D)堆叠集成电路的硅通孔(Through Silicon Via,TSV)互连技术进行了详细的介绍,阐述了TSV的关键技术与工艺,比......
磨削工艺直接影响着磨削后晶片的表面质量参数,在这些参数中,总厚度变化(TTV)是鉴别晶片几何参数好坏的重要指标之一。分析了磨削......
为满足超薄晶圆加工实时在线检测磨削厚度、确保晶圆加工质量的需要,提出了采用非接触测量仪进行实时在线检测。研究表明,非接触测......
