掺锑氧化锡相关论文
以无水SnCl4、SbCl3为主要原料,利用多重射流氢氧焰燃烧反应器制备高分散性的掺锑氧化锡(Antimony-doped tin oxide,ATO)纳米导电......
以SnCl·5HO和SbCl乙醇溶液为原料,采用离子交换除氯水解法制备得到无氯离子的掺锑氢氧化锡胶体沉淀,为了消除粉体团聚,采用了正丁......
纳米ATO(锑掺杂二氧化锡)导电粉因其在导电和光学等方面的优良性能,在许多领域有着广阔的应用前景,是近年来迅速发展的一种新型功......
掺锑氧化锡(antimony-doped tin oxide，ATO)是一种超细导电金属氧化物。将ATO作为一种导电填料分散到高聚物体系中制成的导电涂料不......
以SnCl·5HO和SbCl为主要原料,采用共沉淀法制香纳米级掺锑氧化锡超细粉.运用差热-热失重、X射线衍射、透射电镜、紫外光谱和表面......
掺锑氧化锡（ATO）纳米粉体具有良好的电学性能、光学性能,优异的抗腐蚀性和热稳定性,在平板显示器、电致变色功能转换薄膜、气敏元件......
纳米ATO（锑掺杂氧化锡）基透明隔热涂料是近年来颇受欢迎的新型节能涂料，主要用于玻璃等透明设施表面。若能和表面超疏水性能相结合，就......
二氧化锡作为一种典型的n型半导体材料,具有导电、抗腐蚀、热稳定性高等诸多优良特性,锑的掺杂能够大幅度降低其电阻率,并提高其透......
采用化学共沉淀法在TiO2表面包覆掺锑氧化锡,制备复合导电粉.利用透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌进行观察.考察了制备条件,如SnC......
以SnCl4·5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料，用离子交换除氨水解法制备得到无氯离子的前驱体掺锑氢氧化锡胶体沉淀。采用了乙酸异戊酯......
以SnCl4·5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料，用阴离子交换除氯水解法制备得到了无氯离子的掺锑氢氧化锡胶体沉淀．为了消除粉体团聚，首次......
ATO-TiO2是一种用途广泛的防静电浅色粉体材料.介绍了共沉淀法制备ATO-TiO2的包覆、导电机理和优点,综述了共沉淀法制备ATO-TiO2导......
以SnCl4·5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料，采用离子交换除氯水解法及正丁醇共沸蒸馏干燥法制备得到了掺锑氧化锡纳米粉末，用FT-IR、X......
以SnCl4·5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料制备前驱体掺锑氢氧化锡胶体沉淀，采用乙醇超临界流体干燥法干燥前驱体；用TG-DTA、XRD、TEM......
以SnCl4·5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料，采用离子交换除氯水解法得到无氯离子的掺锑氢氧化锡胶体沉淀，以正丁醇作脱水剂对胶体进行......
为了探究一维导电掺锑氧化锡的制备条件,分别以SnCl_4·5H_2O和SbCl_3为Sn源和Sb源,以NaOH为沉淀剂,添加Na_2SiO_3·9H_2O......
采用阴离子交换除氯水解法和不同干燥法制备了掺锑氧化锡纳米粉末,用XRD,TEM和BET对粉末的物相、形貌、比表面积进行了表征.结果表......
以SnCl4·5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料，用阴离子树脂交换除氯水解法刺备得到无氯离子的前驱体掺锑氢氧化锡胶体沉淀。首次对以合......
以SnCl4·5H2O和SbCl3为原料,用醇盐水解法制备了纳米掺锑氧化锡(ATO)导电粉体.用正丁醇二甲苯的混合溶剂共沸蒸馏、有机脱水......
总结了掺锑氧化锡的光电性能几其综合评价方法。在合适的掺杂范围内，锑的掺入能够提高氧化锡材料的导电性能而不影响其透光率。然而......
采用化学共沉淀法在TiO2表面包覆掺锑氧化锡，制备复合导电粉．利用透射电子显微镜(TEM)对样品的形貌进行观察．考察了制备条件，如SnCl4&#......
综述掺锑氧化锡制备方法的研究进展。溶胶-凝胶法、喷雾热分解法、水热法、化学沉淀法都是良好的制备方法,但工业应用都存在一定的......
采用两步溶胶–凝胶法制备出ATO(掺锑氧化锡)-SiO2复合抗静电薄膜.通过DTA-TG、XRD、SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征,结果表明:......
以SnCl4·5H2O和SbCl3乙醇溶液为原料，用阴离子树脂交换除氯水解法制得无Cl^-的掺锑氢氧化锡胶体沉淀。并用乙酸异戊酯作脱水剂......
探讨了煅烧对掺锑氧化锡粉体性能的影响。用X射线衍射进行粉体晶粒尺寸和物相检测，表明粉体晶粒随煅烧温度升高而长大，粉体保持了SnO......
以SnCl4.5H2O和SbCl3为原料,采用共沉淀法制备出掺锑氧化锡纳米粉体,用X射线衍射、透射电镜、热重-差示扫描量热分析(TG-DSC)对粉......
将纳米掺锑二氧化锡(ATO)粒子经过超声分散和偶联剂处理后,以甲基丙烯酸甲酯(MMA)为单体,用原位聚合法制备了纳米ATO/PMMA乙醇分散......
纳米材料是上世纪后期发展起来的一门新兴学问,其研究对象的尺寸范围为1～100nm。由于纳米‘尺寸范围内的材料具有许多不同于常规材......
为了掌握沉淀反应包覆掺锑氧化锡膜形态和工艺参数对导电粉电阻率的影响规律．本文中详细研究了采用沉淀法在氧化钛表面包覆掺锑氧化......
