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掺杂曲线相关论文
一款900VVDMOS的VLD终端结构设计
采用横向变掺杂(Varied Lateral Doping, VLD)终端设计,通过推导菲克第二定律得到了线性变化的P阱掺杂曲线边端,并讨论了线性掺杂曲线......
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