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采用横向变掺杂（Varied Lateral Doping, VLD）终端设计，通过推导菲克第二定律得到了线性变化的P阱掺杂曲线边端，并讨论了线性掺杂曲线与终端耐压之间的关系，最终在此基础上设计了一款900 V VDMOS功率器件。在140μm终端长度上仿真实现了947 V的耐压，且最大表面电场强度为1.65×105 V/cm，有效提高了终端的可靠性；与传统功率器件的制造工艺兼容，同时没有增加额外的掩膜与工艺步骤。