峰值电场相关论文
高压P-LDMOS的失效实验分析表明其沟道区的高峰值电场会导致沟道区的热载流子效应,从而将降低高压P-LDMOS的可靠性.借助半导体器件......
本文对轻掺杂的600V结终端进行了分析与讨论。结果表明：轻掺杂的结终端在可以有效的降低表面峰值电场，可以有效地利用芯片表面面积，使......
基于具有场板结构GaN HEMT器件物理和基本器件方程,导出了器件加场板前后表面电场分布和峰值电场解析模型。该模型指出,当场板长度......
本文介绍了PHEMT器件的结构,界面态对PHEMT器件影响的现象和机理,并主要从直流特性,击穿电压和栅延时等方面研究界面态对PHEMT器件......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
高压P-LDMOS的失效实验分析表明其沟道区的高峰值电场会导致沟道区的热载流子效应，从而将降低高压P-LDMOS的可靠性．借助半导体器件专......
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分析了沟道高电场分布产生原因及各个参数对高电场的影响，提出了两条沟道设计的原则——拉长沟道同时降低沟道浓度．模拟结果显示，两条......
提出了一个新的二维解析方法预言场限环结构的电压分布和边界峰值电场及环间距优化。采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解......
1991年夏,我们利用自制的单站闪电探测及定位系统(M—LDARS),在北京地区进行了对比实验,并对所记录的地闪回击信号作了分析。本文......
HEMp高空核爆炸电磁脉冲,其特点是:上升沿陡,能量频谱宽,峰值场强高,辐射场复盖面积广。因此它对防护工程的C~3I(Control,Communi......
本文利用简单的物理模型来描述 TRAPATT(俘获等离子雪崩触发渡越)振荡器的工作。在计算精度方面作些让步,就提出了一个完全高效率......
