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射频功率金属半导体场效应晶体管相关论文
4H-SiCMESFET直流Ⅰ-Ⅴ特性解析模型
提出了一种改进的4H.SiCMESFET非线性直流解析模型,基于栅下电荷的二维分布,对该模型进行了分析,采用多参数迁移率模型描述速场关系。......
期刊
4H-碳化硅
射频功率金属半导体场效应晶体管
Ⅰ-Ⅴ特性
解析模型
4H-SiC
RF power MESFET
Ⅰ-Ⅴ characteristics
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