多级单元相关论文
面向多级单元（Multi-Level Cell,MLC）的LDPC码的最小和（Min-Sum,MS）译码算法译码性能取决于码字中每个比特对应的对数似然比（Log-Likeli......
英特尔公司近日成为第一家供应NOR多级单元闪存芯片公司，英特尔提供的这种芯片密度为1G，是基于65纳米处理技术的产品。NOR多级单元闪......
为了进一步提高多级单元(multi-level-cell, MLC)闪存的耐久度和可靠性,提出了一种MLC闪存信道中基于互信息量(mutual information......
随着多级单元（multi-level cell，MLC）闪存存储密度的增加，单元间干扰（cell—to—cell interference，CCI）成为影响NAND闪存可靠性的主要噪......
多级单元（Multi-level Cell,MLC）闪存经过大量编程/擦除（Program/Erase,P/E）循环操作之后,MLC单元中隧道氧化层被破坏使得存储在浮栅中......
随着闪存编程/擦除循环次数的增加,多级单元（ Multi-Leal Cell,MLC ）的氧化隔离层被破坏,进而导致闪存的可靠性 急剧降低.针对这种情......
随着多级单元（Multi一Level Cell,MLC）闪存存储密度的增加,单元间干扰（Cell一to一Cell Interference,CCI）成为影响NAND闪存可靠性的主......
Utilizing commercial off-the-shelf(COTS) components in satellites has received much attention due to the low cost. Howev......
北京，2009年2月12日讯——恒忆（Numonyx）发布业内首款采用45nm工艺技术的多级单元（MLC）NOR闪存样片。在为客户提供高度的产品连续性和可......
自从三星电子公司开始批量生产60纳米制程的8GB多级单元（MLC）NAND闪存芯片之后，存储卡厂商们纷纷将各自microSD存储卡的容量提高到1GB......
TDK发布GBDriver RS1系列NAND闪存控制器LSI电路。新的GBDriver RS1兼容1．5GbpsSATAI，并且在当作NAND闪存控制器IC使用时，可以控制最......
恒忆（Numonyx）发布业内首款采用45nm工艺技术的多级单元（MLC）NOR闪存样片。在为客户提供高度的产品连续性和可靠性的同时，新产品发布还......
Intel公司推出用于多媒体手持机的高性能90nto多级单元（MLC）NOR闪存M18。这种新的Intel StrataFlash蜂窝存储器（M18）可提供比以前130nm......
为了在现有务件下进一步降低闪速存储器的单位成本,已开发了各种单管多位技术.文章着重介绍了基于浮栅结构的MLC技术和基于SONOS的......
恒忆公司（Numonyx）针对无线通信、嵌入式设计和数据存储市场推出新系列NAND闪存产品。新系列产品包括32Gb（gigabits）的多级单元（MLC）NAND......
恒忆（Numonyx）发布业内首款采用45纳米工艺技术的多级单元（MLC）NOR闪存样片。在为客户提供高度的产品连续性和可靠性的同时，新产品发布......
针对寄生耦合电容效应导致闪存相邻多级单元(multi-level-cell,MLC)的阈值电压失真而产生的存储数据错误问题,本文提出了一种适用......
多级单元（Multi—Level—Cell，MLC）技术增加了NAND闪存的存储密度，但也增强了单元间干扰（Cell—to-Cell Interference，CCI）噪声强度，导致了......
随着多级单元（Multi-Level Cell,MLC）闪存存储密度的增加,单元间干扰（Cell-toCell Interference,CCI）成为影响NAND闪存可靠性的主要噪......
