NAND闪存信道检测技术直接影响数据存储的可靠性,本文针对NAND闪存信道检测过程中因缺乏信道先验信息而导致检测性能显著降低的问......

近年来,随着闪存技术的飞速发展,闪速存储器(Flash Memory)的高性能、非易失性(Non-Volatility)、能耗低、抗震动、存储容量高等优......

近年来,以闪存为代表的非易失性存储器(NVS:Non-Volatile Storage)在存储领域受到了广泛关注。凭借其高效且安全的存储特性,闪存已......

由NAND闪存芯片所构成的固态驱动器,如今已被广泛用作数据存储的主要介质。先进的制程工艺和多级电平(MLC)存储技术的使用,在有效......

面向多级单元（Multi-Level Cell,MLC）的LDPC码的最小和（Min-Sum,MS）译码算法译码性能取决于码字中每个比特对应的对数似然比（Log-Likeli......

随着多级单元（multi-level cell，MLC）闪存存储密度的增加，单元间干扰（cell—to—cell interference，CCI）成为影响NAND闪存可靠性的主要噪......

随着多级单元（Multi一Level Cell,MLC）闪存存储密度的增加,单元间干扰（Cell一to一Cell Interference,CCI）成为影响NAND闪存可靠性的主......

随着多级存储单元比特存储密度的增加，单元间干扰成为影响闪存可靠性的主要因素．针对这种情况，在深入分析多级存储单元内部数据存储信......

针对寄生耦合电容效应导致闪存相邻多级单元(multi-level-cell,MLC)的阈值电压失真而产生的存储数据错误问题,本文提出了一种适用......

多级单元（Multi—Level—Cell，MLC）技术增加了NAND闪存的存储密度，但也增强了单元间干扰（Cell—to-Cell Interference，CCI）噪声强度，导致了......