在Ａｒ、ＣＨ４的混合气体中用反应性磁控溅射法生长了多晶ＳｉＣ薄膜。溅射靶使用了单晶硅片。ＳｉＣ薄膜的生长速率１０￣４０ｎｍ／ｍｉｎ。Ａｒ的分压为６０ｍｔｏｒｒ（ｌｔｏｒｒ＝１３３．３２２Ｐａ，以下同），ＣＨ４的分压为４０ｍｏｔｏｒｒ，衬底温度为......

非晶碳薄膜主要由sp^3碳原子和sp^2碳原子相互混杂的三维网络构成,具有高硬度、低摩擦系数、耐磨损、耐腐蚀以及化学稳定性等优异......