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双场板(DFP)相关论文
2~18 GHz 10 W GaN HEMT非均匀分布式功率放大器
基于0.25μm GaN双场板(DFP)高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺,研制了一款2~18 GHz连续波输出功率大于10 W的功率放大器微波单片集成......
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功率放大器
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连续波
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