半导体光刻技术相关论文
极紫外光刻技术(EUVL)是以波长为11-14nm 的软 X 射线为曝光光源的微电子光刻技术。根据目前的光刻技术发展形势看,EUVL 将是大批......
我们曾在我厂1973年第三期《光学与计量》上对于在动态光刻法中采用双重胶尺坯问题作过一般介绍。之后又经过一段时间的实验研究......
化合物半导体杂志2009年12月刊报道,研究人员已研制出一种纳米光刻技术,单芯片上制造高分辨率结构,至少包含了三种不同的化学材料,......
采用环氧树脂作为中间层的真空键合技术实现体材PZT与硅片键合，再利用机械化学抛光方法将PZT减薄到适当的厚度制备了PZT铁电厚膜，构......
去年,我们介绍过这种方法的梗概,引起有关单位的注意,希望提供较详细的资料,以便进一步探讨。通过我们半年来的实验摸索,取得了一......
讨论了光纤在光盘的光头设计中的运用。介绍了目前光纤光头的技术进展，尤其是重点介绍了半导体光刻技术的微透镜和光纤维的进展。认......
据日本电子学杂志最近报道，在古老的阴极射线管CRT领域里正在酝酿一场革命，人们设想出CRT平板显示器，叫作场发射极显示器FED（FieldEmit......
<正> 随着电子计算机的研究与发展,特别是生物电子学的新进展,电子计算机的原件将采用一种崭新的材料——生物分子来代替硅片,从而......
文章通过对目前国内外光刻设备生产厂商对下一代光刻技术的开发及目前已经应用到先进生产线上的光刻技术及设备进行了对比研究，对光......
