剩余极化相关论文
该文基于前人的实验理论,率先研究了锆钛比为94/6的锆钛酸铅薄膜的性能.实验中薄膜样品的结构为Pt/PZT/YBCO/LAO,LAO为基底材料,Pt......
利用脉冲准分子激光（工作气体ＸｅＣｌ，波长３０８ｎｍ，脉宽２８ｎｓ）在外延ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ３（１００）单晶基片上淀积了Ｐｂ（Ｚｒ０．５５Ｔｉ０．４５）Ｏ３铁电薄膜，ＹＢＣＯ薄膜既为生长高取向ＰＺＴ薄膜提供了晶体匹配条件，同时也为ＰＺＴ铁电薄膜......
由于铋系层状结构材料具有良好的抗疲劳性能而成为目前铁电存储器应用研究的主要材料之一，这类材料研究最多的是SrBi2Ta2O9、Bi4-xL......
多铁材料因其同时具备铁磁性和铁电性，而且两者之间存在着磁电耦合作用，克服了单一铁磁或铁电材料应用上的不足，已经成为目前热门的新......
本论文着重于层状钙钛矿结构铁电材料SrBi4Ti4O15(SBTi)的B位和AB位共同掺杂改性研究。对它们陶瓷样品的微结构、铁电、介电和压电......
近年来，为了研制出在室温以上同时具有良好铁电、铁磁性的单相材料，人们做了大量研究，其中铋系层状钙钛矿单相多铁材料由于其良好的铁......
采用0.05mol/L的前驱体溶液,利用溶胶-凝胶法成功制备了室温下具有优良铁电性质的Ba0.8Sr-0.2TiO-3 (BST)薄膜.X射线衍射分析表明,......
用传统的固相烧结工艺,制备了钼掺杂铁电陶瓷样品SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电陶瓷SrBi4-2x/3Ti4-xMoxO15(x=0.00,0.003,0.012,0.03,0.06......
期刊
掺杂可以改变锆钛酸铅系铁电陶瓷的性能.着重对掺La3+、Mn2+对PZT陶瓷结构与性能的影响作了一些研究和探讨,通过对掺两种添加物的......
测量了使用溶胶-凝胶工艺制备的(Bi0.5 Na0.5)1-xBax TiO3(x=0.00,0.04,0.06,0.08,0.12系陶瓷的介电、压电、铁电和热释电性能.由......
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了La掺杂的PbTiO3铁电薄膜(PLT),X-射线衍射测量表明PLT薄膜呈高度(100)择优取向,原子......
用脉冲激光淀积法成功地在p-Si底片上制备了高c轴取向的Bi3.20Nd0.80Ti3O12铁电薄膜,研究了薄膜的铁电性能及疲劳特性.研究表明,用......
采用传统的固相烧结工艺制备出Bi5 Fe0.7Ni0.3Ti3O15 (BFNT)多铁陶瓷样品,研究镍离子基团的植入对材料的微观结构、磁性能和电性能......
研究了铋层化合物Sr1+xBi4-xTi4-xTaxO15(x=0-1)陶瓷的介电和铁电特性.研究发现随着x值的增大,材料的居里点由540℃降到30℃左右,......
用溶胶-凝胶工艺成功制备出Bi0.5Na0.5TiO3纳米微粉,并利用此微粉烧结出高致密度的Bi0.5Na0.5TiO3陶瓷.这种新工艺制备的Bi0.5Na0.......
用传统的固相烧结工艺,制备了铌掺杂SrBi_4Ti_4O_(15)(SBTi)铁电陶瓷SrBi4-x/3Ti4-xNbxO15(SBTN-x),Nb掺杂量x=0.00,0.003,0.012,0......
适量的钒掺杂,大大增加了SrBi4Ti4O15(SBTi)铁电材料的剩余极化2Pr,并改善了材料的耐压性能.SBTi拉曼模的位置,基本不受V掺杂的影......
采用激光脉冲分子束外延技术,在(100)取向SrTiO3或Nb:SrTiO3单晶基片上成功外延生长不同结构的LaAlO3/BaTiO3超晶格.利用高能电子......
本文通过对非线性电介质中静电场能量的分析，导出了其能量密度公式W′=1/2ε0E^12“，并指出静电场的能量密度公式W=1/2D（ω，-）·E（ω......
Sr1-xLa2x／3Bi6TiO15（SLBT-x,x=0．00～O．75）陶瓷居里温度（tc）随掺杂量的增加而降低，显示掺杂导致晶格畸变减小，这是由于La^3＋取代Sr^2＋位而产生......
采用传统固相烧结工艺,制备了掺杂量分别为0.000～1.000,0.000～0.096的La,V掺杂Sr2Bi4Ti5O18铁电陶瓷.X射线衍射结果显示,La,V对Sr2Bi......
通过研究发现,利用激光分子束外延技术生长的LaAlO3/BaTiO3超晶格薄膜具有良好的电学性能,其剩余极化可达到25μc/cm2.性能决定于......
掺杂与组构共生结构都是增大铋系层状钙钛矿结构铁电材料(BLSFs)剩余极化(2Pr)的有效手段.同价元素掺杂时,2Pr的变化由氧空位浓度,......
采用化学共沉淀法制备了掺钕钛酸铋陶瓷粉料,对其相组成和形貌进行研究,进而制备块体陶瓷,对其电学性能和疲劳特性进行分析. 结果......
本论文以层状钙钛矿结构铁电材料Bi2WO6 （ BW ）及其共生结构Bi2WO6-Bi3TiNbO9 （BW-BTN）为研究对象,对它们的晶体结构、铁电及介电性能......
用固相烧结工艺,制备了择优取向的Bi4Ti3O12(BTO)多晶陶瓷样品,沿着与样品轴线垂直和平行的方向切割制成测量样品A和样品B.样品A和......
基于对铁电电容实际测试性能及物理模型的分析，在仿真软件HSIM原始电容模型库的基础上，通过对实验室制备的铁电电容电滞回线的拟合，得......
早在20世纪50年代,有关A2B’B"O6型双钙钛矿氧化物的合成和物性研究已开始见诸报道。90年代末,在该体系中发现了一系列诸如非常规......
用溶胶-凝胶法制备出了SrBi4-xLaxTi4O15陶瓷，其中x=0．00，0．05，0．10，0．20，0．30。利用XRD，SEM，TH2816型宽频LCR数字电桥等手段研究了陶瓷的显微......
通过固相烧结工艺制备Ba2-xLaNiMoO6（x=0，0．1）陶瓷样品，采用多晶X射线衍射仪和扫描电子显微技术对样品的物相成分、晶体结构及其表面形......
Nd等价取代Bi4Ti3O12-SrBi4Ti4O15的A位,形成SrBi8-xNdxTi7O（27）（x=0.00～1.50）共生陶瓷.结果表明：Nd掺杂未改变晶体的共生结构,样品剩余......
对Sr2Bi4-x/3Ti5-xNbxO18 (x=0,0.003,0.018,0.048,0.096)陶瓷样品的铁电和介电性能进行了测量.结果表明,Sr2Bi4Ti5O18样品的剩余......
用脉冲激光淀积方法在p-Si基片上制备了高c轴取向的Bi4-xRxTi3O12(BNT)铁电薄膜,研究了掺钕量x对薄膜铁电性能的影响,结果表明,当x......
综述了铋层状压电陶瓷共生与复合体系结构特点及性能研究。组构共生结构或复合结构都是增大铋系层状钙钛矿结构铁电材料(BLSFs)剩......
铁酸铋在室温下既可表现出铁电性又可表现出反铁磁性,在器件应用上有非常大的应用前景,因此被认为是最有前途的多铁性化合物之一。......
采用脉冲激光沉积法（pulsed laser deposition,PLD）,通过改变气氛氧压、衬底温度等工艺参数,在商业化的Pt/TiO2/SiO2/Si衬底上制备了......
采用射频磁控溅射技术，以LaNiO3（LNO）作为过渡层，在SiO2/Si（100）、Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上分别获得了（100）、（110）取向的（Pb0.90La0.10）Ti0.......
用溶胶-凝胶法制备了钛酸锶铋层状钙钛矿结构（SBTi）铁电陶瓷，研究了不同烧结温度对其显微结构和电性能的影响，分析了相关机理，发现1100......
铋系层状钙钛矿结构的铁电材料在非易失性铁电存储器和高温压电陶瓷方面具有潜在的应用前景。这种材料反转速度快,抗疲劳性能好,具......
PbZrxTi1-xO3（PZT）薄膜的折射率可随组分而变化，在可见和红外波段透明性好，而且具备大的电光系数，因此被认为制作新一代特性参数动态可......
单相多铁材料可能实现铁电性和磁性的相互调控,是一种新型功能材料,它在信息的高密度多态存储以及自旋电子学等领域具有广阔的应用......
LaNiO3氧化物具有优良的室温导电性能,且具有与PZT等铁电材料相似的钙钛矿结构,被认为是理想的电极和缓冲层材料.在Si基板上制备取......
集成电路在空间的应用需要考虑离子的辐照效应。存储器是航天设备的核心功能单元，采集的大量数据需要长久完整地保持。具有抗辐照和......
<正> 引言在目前理工科大学物理"电磁学"部分的教学中,在讲完电极化强度后接着就讲铁电体和压电现象,似乎有些脱节,而且限于无机盐......
研究了不同的淬火温度对层状钙钛矿结构铁电陶瓷SrBi4Ti4O15和Sr2Bi4Ti5O18的微结构、铁电性能与介电性能的影响。经过不同温度淬......
以Bi2O3、Fe2O3、TiO2为原料,采用传统固相反应法,分别在930℃、950℃、1000℃、1050℃下烧结制备Bi6Fe2Ti3O18陶瓷.X线衍射结果表......
