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采用射频磁控溅射技术，以LaNiO3（LNO）作为过渡层，在SiO2/Si（100）、Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）衬底上分别获得了（100）、（110）取向的（Pb0.90La0.10）Ti0.975O3（PLT）铁电薄膜。研究了LNO/Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）和LNO/SiO2/Si（100）基底对PLT薄膜微结构和铁电性能的影响。实验结果表明，与在LNO/Pt（111）/Ti/SiO2/Si（100）基底上沉积的（110）取向的PLT薄膜相比较，在LNO/SiO