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与Si器件相比,Si C器件的开关速度可以提高10倍以上,从而将逆变器的性能提升到一个新的水平。高开关频率和dv/dt、di/dt会使逆变器......

传统的变压器模型多为集总电容模型,在10MHz以上的频段,模型与实测特性存在较大偏差,难以反映变压器的高频电磁干扰(EMI)特性。该......