Ⅲ-V族半导体相关论文
论述了Ⅲ-V族半导体纳米材料的制备与尺寸控制,其制备法分为物理法和化学法。物理法包括离子注入法、溅射法和激光烧蚀法,化学法包......
对无序和有序GaInP2样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量.无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构,在不同温......
利用变温光致发光(PL)谱及时间衰退发光谱研究了一系列GaP1-xNx混晶的光学性质.GaP1-xNx混晶的PL谱从低组分的NN对束缚激子及其声......
本文详细地叙述了金属/GaAs和金属/GaSb界面,在极低复盖度(亚单层至几个单层)下的费米能级位移的实验结果,并应用缺陷能级密度随金......
Luminescence decay and time-resolved photoluminescence(TRPL) spectra are used for study on the transient luminescence pr......
报道了名义上无序GaxIn1-xP(x=0.52)合金的发光瞬态过程,对样品在77 K和300 K下不同激发强度的时间衰退过程和时间分辨光谱的分析......
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在硅半导体生产中，作为单晶硅、氮化膜、氧化膜气相成长用气；作为硅铝膜蚀刻用气，需消耗多种氢化物(如甲硅烷、砷烷、磷烷)和卤化物(......
部分Ⅲ-V族化合物半导体具有较窄的禁带宽度,对红外发射体的温度要求较低,非常适宜制备热光伏(TPV)电池。简要介绍热光伏系统的基......
