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对无序和有序GaInP2样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量.无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构,在不同温度区有不同的激活能.有序样品则表现为双峰结构,其中高能端发光峰强度随温度升高先增强而后热猝灭.根据样品有序度及取向超晶格模型解释了实验现象.
无序和有序GaInP2的光致发光谱
【摘 要】
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对无序和有序GaInP2样品分别作了变温和变激发功率密度光致发光谱的测量.无序样品表现为与激发功率密度无关的单谱峰结构,在不同温度区有不同的激活能.有序样品则表现为双峰
【机 构】
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厦门大学物理学系,厦门,361005
【出 处】
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厦门大学学报（自然科学版）
【发表日期】
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1999年3期
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